[發明專利]一種TFE遮罩免清洗結構及工藝方法

在審

• 申請號: 202211383809.8
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN115747753A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 溫質康;莊丹丹;喬小平
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50
• 代理公司: 福州市京華專利代理事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 林云嬌

本發明公開了一種TFE遮罩免清洗結構及工藝方法，涉及薄膜封裝技術領域。所述TFE遮罩免清洗結構包括：界面保護層，形成于所述TFE遮罩上方，用于保護TFE遮罩表面的平整性，防止后續制程對TFE遮罩表面的腐蝕和破壞而引起精度偏差；剝離層，形成于所述界面保護層上方，所述剝離層耐高溫且化學性能穩定，用于隔絕絕緣，且在激光照射下或在蝕刻液作用下可剝離。本發明提供的一種TFE遮罩免清洗結構及工藝方法，節省了TFE遮罩陽極氧化的工藝，節省大量的制造成本，避免清洗廢料對環境的污染。

技術領域

本發明涉及薄膜封裝技術領域，特別涉及一種TFE遮罩免清洗結構及工藝方法。

背景技術

在有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode)OLED顯示器具備自發光特性，低功耗，寬視角，響應速度快，超輕超薄，抗震性好等特點，采用薄膜封裝OLED器件可實現柔性，可折疊，可彎折等特點，該技術被廣泛運用于柔性顯示領域。

薄膜封裝技術(Thin Film Encapsulastion)簡稱TFE，TFE技術是在TFT基板上，將有機的EL蒸鍍后，在上方通過沉積Barrierlayer(隔絕層)和Bufferlayer(平坦層)，依次順序制備3～5層交錯覆蓋來隔絕水氧，用來保護有機EL的技術，其中TFE(ThinFilmEncapsulation)封裝中Barrier layer(隔絕層)多采用PECVD(化學氣相沉積)機臺沉積無機薄膜，比如氮化硅，起到阻隔水氧的作用，Bufferlayer(平坦層)多采用IJP(噴墨打印)機臺涂布有機薄膜，比如高分子聚合物、樹脂等，其作用就是覆蓋無機層的缺陷，實現平坦化，可以釋放無機層之間的應力，實現柔性封裝。

TFE薄膜封裝結構制備過程中，采用2～3層無機/有機的疊層結構，PECVD(化學氣相沉積)機臺每沉積一層無機薄膜，需要一張金屬遮罩，用于遮擋無需要沉積薄膜的區域(綁定區)，TFE遮罩常采用銦瓦合金進行制作，由于PECVD(化學氣相沉積)多采用RF電源激化反應粒子的活性，所以腔體上下電極多采用陶瓷結構，防止異常放電，因此TFE遮罩表面常沉積一層Al₂O₃進行表面的陽極氧化。

TFE遮罩表面隨著沉積時間越長，TFE金屬遮罩上積累的無機薄膜也越來越厚，需要人工裝卸TFE遮罩并送外定期清洗，清洗費用高，藥液清洗的費液影響環境友好型社會的發展。

發明內容

本發明要解決的技術問題，在于提供一種TFE遮罩免清洗結構及工藝方法，通過界面保護層取代陽極氧化層節省了TFE遮罩陽極氧化的工藝，通過剝離層免除TFE金屬遮罩清洗的費用，節省大量的制造成本，避免清洗廢料對環境的污染。

第一方面，本發明提供了一種TFE遮罩免清洗結構，包括：

界面保護層，形成于所述TFE遮罩上方，用于保護TFE遮罩表面的平整性，防止后續制程對TFE遮罩表面的腐蝕和破壞而引起精度偏差；

剝離層，形成于所述界面保護層上方，所述剝離層耐高溫且化學性能穩定，用于隔絕絕緣，且在激光照射下或在蝕刻液作用下可剝離。

進一步地，所述界面保護層包括SiNx層、SiO₂層以及SiNx與SiO₂的疊層。

進一步地，所述界面保護層的厚度范圍為2～6um。

進一步地，所述剝離層包括PI層以及PEN層。

進一步地，所述剝離層的厚度范圍為2～6um。

第二方面，本發明提供了一種TFE遮罩免清洗工藝方法，應用于第一方面的TFE遮罩免清洗結構，所述方法包括：

首先在TFE遮罩上形成一層界面保護層，然后再在TFE遮罩上印刷一層剝離層；