[發明專利]真空吸盤裝置及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202211343825.4
• 申請日: 2022-10-31
• 公開（公告）號: CN115513115A
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 趙興;趙輝
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 閆學文

本發明提供了一種真空吸盤裝置及半導體工藝設備，所述真空吸盤裝置包括：加熱盤，用于承載并加熱晶圓；真空管路和真空泵，所述真空管路的一端與所述真空泵連接，所述真空管路的另一端穿過所述加熱盤以真空吸附所述晶圓；第一控壓閥，設置于所述真空管路上。本發明的技術方案能夠在減小晶圓翹曲的同時，還能提升晶圓的表面膜厚均勻性。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種真空吸盤裝置及半導體工藝設備。

背景技術

在采用高深寬比淺溝槽隔離填充(HARP STI)設備執行工藝的過程中，會采用加熱盤對晶圓進行加熱，但是高溫會導致晶圓產生翹曲，所以一般會設置真空吸附部件，使得能夠將晶圓通過真空吸附的方式吸附在加熱盤上。

參閱圖1所示的真空吸盤裝置的示意圖，從圖1可以看出，晶圓12和加熱盤13設置于工作腔11中，真空泵15通過主管路17與工作腔11相連，主管路17中設置有控壓閥16，用以控制工作腔11內的壓力大小；加熱盤13內部具有兩條通路，用以穿過真空管路14，使得真空管路14的兩端分別與工作腔11和真空泵15連通，使得通過對真空管路14抽真空吸附住晶圓12。但是，由于加熱盤13中的用于真空管路14吸附晶圓12的兩個吸點處對晶圓12并沒有加熱功能，隨著兩個吸點處氣流散熱，晶圓12表面會形成兩個溫度低點，導致晶圓12在工藝上產生兩個膜厚高點。而在后續的化學機械研磨(CMP)工藝中，沒有針對膜厚高點的單獨研磨壓力控制，這會導致晶圓12表面容易產生成膜材料的殘留物(例如氮化硅殘留)，損害晶圓12的膜厚均勻性，從而影響產品良率。

因此，如何對真空吸盤裝置進行改進，以在減小晶圓翹曲的同時，還能提升晶圓表面膜厚的均勻性是目前亟需解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種真空吸盤裝置及半導體工藝設備，能夠在減小晶圓翹曲的同時，還能提升晶圓的表面膜厚均勻性。

為解決上述技術問題，本發明提供一種真空吸盤裝置，包括：

加熱盤，用于承載并加熱晶圓；

真空管路和真空泵，所述真空管路的一端與所述真空泵連接，所述真空管路的另一端穿過所述加熱盤以真空吸附所述晶圓；

第一控壓閥，設置于所述真空管路上。

優選地，所述真空管路包含至少一個第一管路和一個第二管路，所述至少一個第一管路的一端與所述第二管路連通，所述至少一個第一管路的另一端穿過所述加熱盤，所述第二管路與所述真空泵連接，所述第一控壓閥設置于所述第二管路上。

優選地，所述第一控壓閥包括蝶閥或球閥。

優選地，所述真空管路的直徑小于1厘米。

本發明還提供一種半導體工藝設備，包括工作腔以及所述的真空吸盤裝置，所述加熱盤設置于所述工作腔中，所述真空管路的所述另一端與所述工作腔連通。

優選地，所述半導體工藝設備還包括：

主管路，所述主管路的一端與所述真空泵連接，所述主管路的另一端與所述工作腔連通。

優選地，所述半導體工藝設備還包括：

第二控壓閥，設置于所述主管路上。

優選地，所述真空管路的所述一端與位于所述第二控壓閥與所述真空泵之間的主管路連通。

優選地，所述半導體工藝設備還包括：

控制單元，所述控制單元與所述第一控壓閥和所述第二控壓閥連接。

優選地，所述半導體工藝設備為化學氣相沉積設備。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下有益效果：