[發明專利]真空吸盤裝置及半導體工藝設備在審
| 申請號： | 202211343825.4 | 申請日： | 2022-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN115513115A | 公開（公告）日： | 2022-12-23 |
| 發明（設計）人： | 趙興;趙輝 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 閆學文 |
| 地址： | 201314*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 吸盤 裝置 半導體 工藝設備 | ||
1.一種真空吸盤裝置，其特征在于，包括：
加熱盤，用于承載并加熱晶圓；
真空管路和真空泵，所述真空管路的一端與所述真空泵連接，所述真空管路的另一端穿過所述加熱盤以真空吸附所述晶圓；
第一控壓閥，設置于所述真空管路上。
2.如權利要求1所述的真空吸盤裝置，其特征在于，所述真空管路包含至少一個第一管路和一個第二管路，所述至少一個第一管路的一端與所述第二管路連通，所述至少一個第一管路的另一端穿過所述加熱盤，所述第二管路與所述真空泵連接，所述第一控壓閥設置于所述第二管路上。
3.如權利要求1所述的真空吸盤裝置，其特征在于，所述第一控壓閥包括蝶閥或球閥。
4.如權利要求1所述的真空吸盤裝置，其特征在于，所述真空管路的直徑小于1厘米。
5.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括工作腔以及如權利要求1～4中任一項所述的真空吸盤裝置，所述加熱盤設置于所述工作腔中，所述真空管路的所述另一端與所述工作腔連通。
6.如權利要求5所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括：
主管路，所述主管路的一端與所述真空泵連接，所述主管路的另一端與所述工作腔連通。
7.如權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括：
第二控壓閥，設置于所述主管路上。
8.如權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述真空管路的所述一端與位于所述第二控壓閥與所述真空泵之間的主管路連通。
9.如權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括：
控制單元，所述控制單元與所述第一控壓閥和所述第二控壓閥連接。
10.如權利要求5所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備為化學氣相沉積設備。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
