[發明專利]背照式圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 202211341581.6
• 申請日: 2022-10-31
• 公開（公告）號: CN115411061B
• 公開（公告）日: 2023-02-07
• 發明（設計）人: 陳維邦;鄭志成
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 顧丹麗

1.一種背照式圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有間隔分布的多個像素單元，至少部分所述像素單元的寬度與其余所述像素單元的寬度不同，所述基底具有相對的正面和背面；

在所述基底的背面上形成多個芯模結構；

在所述多個芯模結構的側壁形成多個側墻，去除所述多個芯模結構；其中，所述側墻之間具有多個開口，至少部分所述開口的寬度大于其余所述開口的寬度，每個所述開口對應于相鄰兩個所述像素單元之間的基底；以及

以所述側墻為掩模刻蝕所述基底，在所述基底中形成多個深溝槽。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多個像素單元包括第一像素單元和第二像素單元，所述第一像素單元的寬度小于所述第二 像素單元的寬度；相鄰兩個第一像素單元之間的深溝槽的開口寬度小于相鄰的第一像素單元和第二像素單元之間的深溝槽的開口寬度，且相鄰的第一像素單元和第二像素單元之間的深溝槽的開口寬度小于相鄰兩個第二像素單元之間的深溝槽的開口寬度。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基底的背面上形成多個芯模結構的方法包括：

在所述基底的背面上形成芯模材料層；

在所述芯模材料層上形成圖形化的第一掩模層，以所述圖形化的第一掩模層為掩模，刻蝕所述芯模材料層，形成所述多個芯模結構；以及

去除所述圖形化的第一掩模層。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述多個芯模結構的側壁形成多個側墻的方法包括：

在所述基底上形成側墻材料層，所述側墻材料層覆蓋所述多個芯模結構的側壁和頂面以及覆蓋所述多個芯模結構之間的基底表面；以及

去除所述多個芯模結構頂面上的側墻材料層和所述基底表面上的部分側墻材料層，保留所述多個芯模結構側壁上的側墻材料層作為所述側墻。

5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多個芯模結構之間的間距相等；所述制作方法包括：所述去除所述多個芯模結構之后、所述以所述側墻為掩模刻蝕所述基底之前，去除部分數量的所述側墻，使得所述側墻之間的多個所述開口中，至少部分所述開口的寬度大于其余所述開口的寬度。

6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除部分數量的所述側墻的方法包括：

在所述基底上形成圖形化的第二掩模層，所述圖形化的第二掩模層露出部分數量的所述側墻且覆蓋其余的所述側墻；以及

以所述圖形化的第二掩模層為掩模，刻蝕去除部分數量的所述側墻，去除所述圖形化的第二掩膜層。

7.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除部分數量的所述側墻之后，保留的所述側墻覆蓋所述多個像素單元；所述側墻的寬度大于或等于所述多個像素單元中最大的像素單元的寬度。

8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述基底中形成所述多個深溝槽之后，去除所述基底上的所述側墻；

在所述多個深溝槽內形成第一介電層，所述第一介電層保形地覆蓋所述多個深溝槽的內表面；以及

在所述多個深溝槽內形成第二介電層，所述第二介電層填滿所述多個深溝槽，形成多個深溝槽隔離結構。

9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在形成所述多個深溝槽結構之后，在所述基底的背面上形成格柵結構，所述格柵結構位于所述深溝槽隔離結構的上方。

10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述格柵結構包括金屬層以及覆蓋所述金屬層的側壁和頂面的絕緣層。

11.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，利用如權利要求1至10任一項所述的背照式圖像傳感器的制作方法制成。