[發明專利]一種基板及其制作方法在審
| 申請號: | 202211338850.3 | 申請日: | 2022-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN115547847A | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 杜玲玲;李君紅;張軍;彭增;王建彬;查曉剛 | 申請(專利權)人: | 上海美維科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201613 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種基板及其制作方法,該基板的制作方法包括:提供一上表面設有解離膜的承載板;于解離膜上形成第一導電柱;形成上表面低于第一導電柱上表面的第一介電層;形成位于第一介電層上的第一線路層及覆蓋第一導電柱顯露表面的第一導電盤;于第一布線層的上表面形成第二布線層,第二布線層包括至少一布線層單元,布線層單元包括位于第一導電盤上表面的第二導電柱、填充于第二導電柱周圍的第二介電層、形成于第二介電層上表面的第二線路層及覆蓋第二導電柱顯露表面的第二導電盤;去除解離膜,并對第一導電柱的底面進行防氧化處理。本發明通過3D打印法或注入法形成第一介電層及第二介電層,簡化了工藝流程,降低了生產成本,提高了工藝精度。
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,特別涉及一種基板及其制作方法。
背景技術
隨著電子產品向著輕、薄、短、小的方向發展,在印制電路板(PCB基板)及集成電路封裝基板(IC封裝基板)的發展過程中,半導體封裝基板的厚度越來越薄,含有芯板的封裝基板已經難以滿足封裝基板輕薄的要求。因此,封裝基板逐漸從原來的有芯封裝基板轉成無芯封裝基板,目前無芯封裝基板越來越多。其中,關于QTA(Quick Turn Around,快速運轉)無芯封裝基板的制作,通常通過提升設備的性能,使得工廠快速生產,比如一些曝光設備進行了更新換代,通過降低現有紫外線功率的要求,改變光阻成像速度慢和成本昂貴的現狀,增加了產品的產量。
目前,對于QTA無芯封裝基板的制作方法通常采用化學電鍍的方式進行,需要繁瑣的電鍍及圖形轉移等工藝步驟,并且在制作過程中銅柱無法直接暴露出頂端,還需進行化學機械拋光等步驟來去除覆蓋銅柱頂端的介電層,以暴露出銅柱頂端,對位難度高且工藝復雜,且制作基板需要的藥水、設備及電力等大大增加了成本。另外,傳統的濕法電鍍在制作基板的過程中還會產生大量的廢水、廢液及廢料,不僅會造成環境污染,還造成了原材料大量浪費。
鑒于以上,急需一種制備工藝簡單、成本低、工藝精度高及環保的基板的制作方法。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種基板及其制作方法,用于解決現有技術中基板制備工藝復雜、成本高、工藝精度不高及污染嚴重的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種基板的其制作方法,包括以下步驟:
提供一承載板,所述承載板的上表面設有解離膜;
于所述解離膜的上表面形成預設高度的第一導電柱;
于所述第一導電柱周圍填充第一介電層,所述第一介電層上表面低于所述第一導電柱上表面第一預設距離;
于所述第一介電層上表面形成第一線路層及覆蓋所述第一導電柱顯露表面的第一導電盤,以得到位于所述解離膜上表面的第一布線層;
于所述第一布線層的上表面形成第二布線層,所述第二布線層包括至少一層布線層單元,位于底層的所述布線層單元包括第二導電柱、第二介電層、第二線路層及第二導電盤,所述第二導電柱形成于所述第一導電盤的上表面,所述第二介電層填充于所述第二導電柱的周圍,所述第二介電層的上表面低于所述第二導電柱的上表面第二預設距離,所述第二線路層形成于所述第二介電層的上表面,所述第二導電盤覆蓋所述第二導電柱的顯露表面;
去除所述解離膜以顯露出所述第一導電柱的底面,并對所述第一導電柱的底面依次進行表面處理及防氧化處理。
可選地,形成所述第一導電柱之后,形成所述第一介電層之前,還包括于所述承載板的邊緣形成擋板的步驟。
可選地,所述第一導電柱的直徑尺寸大于等于10μm,高度大于等于5μm。
可選地,所述第一導電柱的形成方法包括3D打印法;所述第一導電盤的形成方法包括3D打印法;所述第一線路層的形成方法包括3D打印法。
可選地,所述第一介電層的形成方法包括3D打印法、注入法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





