[發(fā)明專利]一種基板及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202211338850.3
• 申請日: 2022-10-28
• 公開（公告）號: CN115547847A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜玲玲;李君紅;張軍;彭增;王建彬;查曉剛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海美維科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一承載板，所述承載板的上表面設(shè)有解離膜；

于所述解離膜的上表面形成預(yù)設(shè)高度的第一導(dǎo)電柱；

于所述第一導(dǎo)電柱周圍填充第一介電層，所述第一介電層上表面低于所述第一導(dǎo)電柱上表面第一預(yù)設(shè)距離；

于所述第一介電層上表面形成第一線路層及覆蓋所述第一導(dǎo)電柱顯露表面的第一導(dǎo)電盤，以得到位于所述解離膜上表面的第一布線層；

于所述第一布線層的上表面形成第二布線層，所述第二布線層包括至少一層布線層單元，位于底層的所述布線層單元包括第二導(dǎo)電柱、第二介電層、第二線路層及第二導(dǎo)電盤，所述第二導(dǎo)電柱形成于所述第一導(dǎo)電盤的上表面，所述第二介電層填充于所述第二導(dǎo)電柱的周圍，所述第二介電層的上表面低于所述第二導(dǎo)電柱的上表面第二預(yù)設(shè)距離，所述第二線路層形成于所述第二介電層的上表面，所述第二導(dǎo)電盤覆蓋所述第二導(dǎo)電柱的顯露表面；

去除所述解離膜以顯露出所述第一導(dǎo)電柱的底面，并對所述第一導(dǎo)電柱的底面依次進(jìn)行表面處理及防氧化處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：形成所述第一導(dǎo)電柱之后，形成所述第一介電層之前，還包括于所述承載板的邊緣形成擋板的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電柱的直徑尺寸大于等于10μm，高度大于等于5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電柱的形成方法包括3D打印法；所述第一導(dǎo)電盤的形成方法包括3D打印法；所述第一線路層的形成方法包括3D打印法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一介電層的形成方法包括3D打印法、注入法。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：形成所述第一介電層之后，形成所述第一線路層之前還包括對所述第一介電層進(jìn)行固化處理的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一預(yù)設(shè)距離的范圍為2～5μm；所述第二預(yù)設(shè)距離的范圍為2～5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：形成所述第一介電層之后，形成所述第一導(dǎo)電盤之前，還包括對所述第一導(dǎo)電柱的顯露表面進(jìn)行表面處理的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板的制作方法，其特征在于：對所述第一導(dǎo)電柱的顯露表面進(jìn)行表面處理的方法包括等離子體表面處理、化學(xué)表面處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第二布線層中的所述布線層單元不少于一層時(shí)，位于底層的所述布線層單元的上方的所述布線層單元與底層的所述布線層單元的結(jié)構(gòu)相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：去除所述解離膜之后，對所述第一導(dǎo)電柱的底面進(jìn)行防氧化處理之前，還包括對所述第二線路層及所述第二導(dǎo)電盤的顯露表面進(jìn)行防氧化處理的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電柱的底面進(jìn)行防氧化處理的方法包括沉錫、化錫。

13.一種基板，其特征在于：所述基板是采用如權(quán)利要求1-12任意一項(xiàng)所述的基板的制作方法制作得到。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其特征在于：所述基板包括PCB基板、IC封裝基板。