[發明專利]一種超低損耗單模光纖

在審

• 申請號: 202211338302.0
• 申請日: 2022-10-28
• 公開（公告）號: CN115542454A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 周航;王瑞春;顧立新;朱繼紅;周新艷;吳俊;胡超;邱文斌
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種超低損耗單模光纖，包括有芯層和包層，所述的包層由內向外依次為內包層，下陷包層，輔助外包層和外包層，其特征在于所述的芯層包括有內芯層和外芯層，所述的內芯層半徑R1為1～3μm，相對折射率差△n1為-0.10％～0.22％，所述的外芯層半徑R2為4～6μm，相對折射率差△n2為-0.20％～0.13％，且△n1△n2，所述的內包層半徑R3為7～12μm，相對折射率差Δn3為-0.20％～-0.35％，所述的下陷包層半徑R4為13～16μm，相對折射率差Δn4為-0.40％～-0.60％，所述的輔助外包層半徑R5為38～47μm，相對折射率差△n5為-0.30％～-0.39％，所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。

2.按權利要求1所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述外芯層半徑于內芯層半徑之比R2:R1為1.25～4.0。

3.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述的內芯層為純二氧化硅玻璃層，相對折射率差△n1為0，所述的外芯層相對折射率差△n2為-0.005％～-0.15％。

4.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述的內芯層相對折射率差△n1為0.005％～0.2％，所述的外芯層為純二氧化硅玻璃層，相對折射率差△n2為0。

5.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述的內芯層相對折射率差△n1為0.01％～0.14％，所述的外芯層相對折射率差△n2為0.005％～0.10％。

6.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在所述的芯層為鍺氟共摻的二氧化硅玻璃層，其中內芯層摻鍺的相對折射率貢獻量為0～0.15％，摻氟的相對折射率貢獻量為-0.01％～-0.10％，外芯層摻鍺的相對折射率貢獻量為0～0.15％，摻氟的對相對折射率貢獻量為-0.02％～-0.14％。

7.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述的內包層為鍺氟共摻的二氧化硅玻璃層，其中摻氟的對相對折射率貢獻量為-0.30％～-0.36％。

8.按權利要求6所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述的芯層摻雜有堿金屬，所述的摻雜堿金屬為NaBr、KF、KBr、NaF中的一種或幾種。

9.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖的成纜截止波長等于或小于1260nm。

10.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的色散等于或小于18.6ps/nm*km且等于或大于13.3ps/nm*km，所述光纖在波長1550nm處的色散斜率為0.073-0.092ps/nm²*km。

11.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的衰減等于或小于0.174dB/km。

12.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1625nm處的衰減等于或小于0.204dB/km。

13.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1700nm處的微彎損耗等于或小于8dB/km。

14.按權利要求1或2所述的超低損耗單模光纖，其特征在于所述光纖以30mm半徑彎曲100圈，在波長1625nm處的宏彎損耗等于或小于0.05dB/km。