[發(fā)明專利]探針冷卻系統(tǒng)、冷卻方法及具備該系統(tǒng)的電子組件測(cè)試設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211337113.1 | 申請(qǐng)日: | 2022-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116068368A | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾一士;吳信毅;蔡譯慶;歐陽勤一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 致茂電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 劉卓然 |
| 地址: | 215129 江蘇省蘇州市蘇州高*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 探針 冷卻系統(tǒng) 冷卻 方法 具備 系統(tǒng) 電子 組件 測(cè)試 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種探針冷卻系統(tǒng)、冷卻方法及具備該系統(tǒng)的電子組件測(cè)試設(shè)備,主要利用冷卻流體供應(yīng)模塊來實(shí)現(xiàn)探針的冷卻。當(dāng)芯片插槽容納電子組件時(shí),冷卻流體供應(yīng)模塊通過冷卻流體供給通道與槽入口供應(yīng)冷卻流體至芯片插槽內(nèi),而冷卻流體流經(jīng)探針后通過槽出口回流至冷卻流體排出通道。換言之,本發(fā)明利用冷卻流體對(duì)芯片插槽內(nèi)探針進(jìn)行冷卻,同時(shí)也將冷卻電子組件的底面及錫球接點(diǎn),以避免錫球因高溫軟化或甚至熔融來污染探針和芯片插槽。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種適用在檢測(cè)電子組件時(shí),對(duì)測(cè)試設(shè)備的探針進(jìn)行冷卻的系統(tǒng)和方法,以及具備該系統(tǒng)的電子組件測(cè)試設(shè)備。
背景技術(shù)
電子組件在出廠之前都必須經(jīng)過測(cè)試,以確保該電子組件的質(zhì)量。以芯片檢測(cè)為例,是先將芯片置入測(cè)試座,其中測(cè)試座底部設(shè)置有多個(gè)探針(pogo?pings),而芯片底面的錫球電性接觸該多個(gè)探針后即開始進(jìn)行測(cè)試。
然而,隨著芯片功能越來越多,處理或運(yùn)算作業(yè)越來越復(fù)雜,芯片底面的接點(diǎn)數(shù)量越來越多,而測(cè)試座內(nèi)的探針數(shù)量也必須隨之增多。而且,隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步,芯片體積也越來越小,而測(cè)試座內(nèi)的探針設(shè)置的密度也越來越密。再者,因?yàn)楣δ茉节厪?fù)雜的關(guān)系,測(cè)試的時(shí)間越拉越長,且提供的功率也越來越大。據(jù)此,芯片進(jìn)行測(cè)試時(shí)所產(chǎn)生的高熱,直接傳導(dǎo)至芯片錫球和探針。
一般而言,錫球的熔點(diǎn)為180℃,不過當(dāng)錫球溫度達(dá)到120℃時(shí)就開始逐漸軟化;另一方面,當(dāng)測(cè)試時(shí)的功率達(dá)到900W至1000W時(shí),錫球溫度也就會(huì)達(dá)到120℃。然而,根據(jù)現(xiàn)今的芯片測(cè)試規(guī)格,對(duì)于復(fù)雜功能的芯片而言,測(cè)試的功率常常會(huì)達(dá)到800W至2600W之間。因此,在測(cè)試過程中,時(shí)常發(fā)生錫球熔融,而沾黏于探針上或錫球殘?jiān)⒉加跍y(cè)試座內(nèi)。一段時(shí)間后,輕則導(dǎo)致測(cè)試失敗,嚴(yán)重者則會(huì)形成短路,造成芯片的毀損或設(shè)備故障。
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明欲解決的課題]
本發(fā)明的主要目的是提供一種探針冷卻系統(tǒng)、冷卻方法及具備該系統(tǒng)的電子組件測(cè)試設(shè)備,能降低測(cè)試座內(nèi)的探針和電子組件的錫球接點(diǎn)的溫度,避免錫球熔融的情形發(fā)生。
為達(dá)成上述目的,本發(fā)明提供一種探針冷卻系統(tǒng),其用于冷卻芯片插槽內(nèi)的探針,芯片插槽包括至少一個(gè)槽入口及至少一個(gè)槽出口,而該系統(tǒng)主要包括至少一個(gè)冷卻流體供給通道、至少一個(gè)冷卻流體排出通道以及冷卻流體供應(yīng)模塊;而冷卻流體供給通道及冷卻流體排出通道分別連通槽入口及槽出口;冷卻流體供應(yīng)模塊連通至冷卻流體供給通道。其中,當(dāng)芯片插槽內(nèi)容納電子組件時(shí),冷卻流體供應(yīng)模塊通過冷卻流體供給通道與槽入口供應(yīng)冷卻流體至芯片插槽內(nèi),而冷卻流體流經(jīng)探針后通過槽出口流至冷卻流體排出通道。
換言之,本發(fā)明主要利用冷卻氣體或冷卻液作為冷卻流體,來對(duì)芯片插槽內(nèi)探針進(jìn)行冷卻,同時(shí)也將對(duì)電子組件的底面、以及底面?zhèn)鹊腻a球接點(diǎn)進(jìn)行冷卻,借此可于測(cè)試過程中冷卻處于高溫狀態(tài)的探針和錫球,以避免錫球因高溫軟化或甚至熔融來污染探針和芯片插槽;甚至,也可借此冷卻電子組件來維持測(cè)試溫度。
除此之外,本發(fā)明可還包括清掃氣體供應(yīng)模塊,其連通槽入口;當(dāng)停止供應(yīng)冷卻流體后,清掃氣體供應(yīng)模塊通過槽入口向芯片插槽內(nèi)供給清掃氣體以驅(qū)使冷卻流體流到至少一個(gè)冷卻流體排出通道。換言之,當(dāng)測(cè)試完成并停止供應(yīng)冷卻流體至芯片插槽內(nèi)時(shí),本發(fā)明還利用清掃氣體供應(yīng)模塊來清除殘留于芯片插槽內(nèi)或電子組件上的冷卻流體,以使電子組件和芯片插槽維持潔凈、干燥,同時(shí)也將該殘留冷卻流體回收再利用。
為達(dá)成前述目的,本發(fā)明提供一種電子組件測(cè)試設(shè)備,其具備了如前段所述的探針冷卻系統(tǒng)、壓接頭、測(cè)試座以及主控制器;該主控制器電性連接于壓接頭、測(cè)試座與冷卻流體供應(yīng)模塊;芯片插槽形成于測(cè)試座的上表面,壓接頭設(shè)置于測(cè)試座上方,并受主控制器的控制而可選擇地趨近或遠(yuǎn)離測(cè)試座;當(dāng)芯片插槽內(nèi)容納電子組件時(shí),控制器控制壓接頭壓抵電子組件,并控制冷卻流體供應(yīng)模塊供應(yīng)冷卻流體至測(cè)試座的芯片插槽。據(jù)此,本發(fā)明可通過主控制器達(dá)成全自動(dòng)化運(yùn)作,可顯著提升測(cè)試效率。
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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