[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的電性能測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211328012.8
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN115692227A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊勁松;潘冬;羅虎臣;羅文治
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 劉芬芬

1.一種半導(dǎo)體器件的電性能測試方法，其特征在于，包括：

在第一基體的第一表面形成第一線路層；

在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述第一線路層中的部分線路電連接；

通過所述第一測試焊盤獲得所述第一線路層的電性能；

去除所述第一測試焊盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述去除所述第一測試焊盤的步驟之后，包括：

在所述第一線路層背離所述第一基體一側(cè)形成第二線路層；

將所述第二線路層作為所述第一線路層，并返回至在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，

所述第一基體包括芯片區(qū)和測試區(qū)；

所述在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述第一線路層中的部分線路電連接的步驟包括：在位于所述測試區(qū)的所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成所述第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述測試區(qū)中的線路電連接，和/或，在位于所述芯片區(qū)的所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成所述第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述芯片區(qū)中的線路電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述第一線路層中的部分線路電連接的步驟之前包括：對所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)進行羥基化處理；去除羥基化處理之后的所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)表面的氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤的步驟可以包括：在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)噴墨印刷或者絲網(wǎng)印刷所述第一測試焊盤。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試方法，其特征在于，所述第一測試焊盤的材料包括導(dǎo)電有機物或者導(dǎo)電無機物中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述去除所述第一測試焊盤的步驟可以包括：對所述第一測試焊盤進行化學(xué)機械拋光，直至露出所述第一線路層中的所述線路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述去除所述第一測試焊盤的步驟之后，還包括：

將所述第一基體與第二基體鍵合，所述第一線路層背離所述第一基體一側(cè)的線路與所述第二基體靠近所述第一基體一側(cè)的線路電連接；其中，所述第二基體背離所述第一基體一側(cè)設(shè)置有第二線路層；

將所述第二線路層作為所述第一線路層，并返回至在所述第一線路層背離所述第一基體的一側(cè)形成第一測試焊盤的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述通過所述第一測試焊盤獲得所述第一線路層的電性能的步驟包括：

獲得所述第一測試焊盤與所述線路之間的第一接觸電阻、所述第一測試焊盤與測試探針之間的第二接觸電阻以及所述第一測試焊盤的電阻；

通過所述第一測試焊盤獲得所述第一接觸電阻、所述第二接觸電阻、第一測試焊盤的電阻以及所述第一測試焊盤電連接的所述線路的電阻線路的總和；

根據(jù)所述總和、所述第一接觸電阻以及所述第二接觸電阻以及所述第一測試焊盤的電阻獲得與所述第一測試焊盤電連接的所述線路的電阻。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試方法，其特征在于，在所述去除所述第一測試焊盤的步驟之后包括：在所述第一線路層背離所述基體的表面上電鍍金屬，對所述金屬進行光刻，直至在所述測試區(qū)背離所述基體的一側(cè)形成第二測試焊盤，所述第二測試焊盤與所述測試區(qū)中的所述線路電連接。