[發(fā)明專利]布線電路基板及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211327691.7
• 申請(qǐng)日: 2022-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116075038A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池田敬裕;新納鐵平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K1/05;H05K3/00;H05K3/06;H05K3/10;H05K3/44
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

本發(fā)明提供適合于在金屬支承基板與在該基板上的絕緣層上形成的布線層之間實(shí)現(xiàn)低電阻的電連接的布線電路基板及其制造方法。布線電路基板(X)在厚度方向上依次具備金屬支承基板、金屬薄膜(20)、絕緣層、金屬薄膜(40)及導(dǎo)體層(50)。絕緣層具有在厚度方向上貫通的貫通孔(30A)。貫通孔具有金屬薄膜側(cè)的開(kāi)口端(31)、與開(kāi)口端(31)相反的一側(cè)的開(kāi)口端(32)、及開(kāi)口端間的內(nèi)壁面(33)。金屬薄膜具有開(kāi)口部(20A)。開(kāi)口部在厚度方向上投影觀察時(shí)與開(kāi)口端(31)重疊。金屬薄膜(40)具有開(kāi)口部(40A)。開(kāi)口部(40A)在厚度方向上投影觀察時(shí)與開(kāi)口部(20A)及開(kāi)口端(32)重疊。導(dǎo)體層具有配置于貫通孔且與金屬支承基板連接的通路部(52)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及布線電路基板及其制造方法。

背景技術(shù)

公知一種具備金屬支承基板、金屬支承基板上的絕緣層以及絕緣層上的布線圖案(布線層)的布線電路基板。在該布線電路基板中，例如，在金屬支承基板與絕緣層之間設(shè)有用于確保絕緣層相對(duì)于金屬支承基板的緊貼性的金屬薄膜。與這樣的布線電路基板相關(guān)的技術(shù)例如記載于下述的專利文獻(xiàn)1。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2019-212659號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

布線電路基板例如具有在厚度方向上貫通絕緣層來(lái)將金屬支承基板與布線圖案電連接的通路。這樣的布線電路基板以往例如如下這樣制造。

首先，在金屬支承基板上形成金屬薄膜(第1金屬薄膜)。接著，在第1金屬薄膜上形成具有導(dǎo)通孔的絕緣層(絕緣層形成工序)。在該絕緣層形成工序中包括加熱工序。接著，在絕緣層上形成晶種層。晶種層也形成于導(dǎo)通孔。在導(dǎo)通孔中，晶種層以覆蓋暴露的第1金屬薄膜表面和導(dǎo)通孔內(nèi)壁面的方式形成。晶種層是金屬薄膜(第2金屬薄膜)。接著，在晶種層上形成導(dǎo)體層。導(dǎo)體層包括在絕緣層上具有預(yù)定圖案的第1導(dǎo)體部和導(dǎo)通孔內(nèi)的第2導(dǎo)體部。接著，去除晶種層中的未被導(dǎo)體層覆蓋的部分。由此，由晶種層及其上的第1導(dǎo)體部構(gòu)成的布線圖案形成在絕緣層上，由晶種層及其上的第2導(dǎo)體部構(gòu)成的通路形成于導(dǎo)通孔內(nèi)的第1金屬薄膜上。

在這樣的以往的制造方法中，在絕緣層形成工序(包括加熱工序)中，在導(dǎo)通孔暴露的第1金屬薄膜表面被氧化。因此，在導(dǎo)通孔中，在表面具有氧化膜的第1金屬薄膜上形成通路。因此，在所制造的布線電路基板中，通路經(jīng)由具有氧化膜的第1金屬薄膜而與金屬支承基板電連接。另外，在晶種層由電阻比較高的材料構(gòu)成的情況下，通路經(jīng)由這樣的晶種層與金屬支承基板電連接。這些結(jié)構(gòu)從金屬支承基板與布線層之間的電連接的低電阻化的觀點(diǎn)出發(fā)不優(yōu)選。

本發(fā)明提供適合于在金屬支承基板與在該基板上的絕緣層上形成的布線層之間實(shí)現(xiàn)低電阻的電連接的布線電路基板及其制造方法。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明[1]包含布線電路基板，其在厚度方向上依次具備金屬支承基板、第1金屬薄膜、絕緣層、第2金屬薄膜以及導(dǎo)體層，其中，所述絕緣層具有在所述厚度方向上貫通的貫通孔，該貫通孔具有所述第1金屬薄膜側(cè)的第1開(kāi)口端、與該第1開(kāi)口端相反的一側(cè)的第2開(kāi)口端、以及該第1開(kāi)口端與第2開(kāi)口端之間的內(nèi)壁面，所述第1金屬薄膜具有第1開(kāi)口部，該第1開(kāi)口部在所述厚度方向上投影觀察時(shí)與所述第1開(kāi)口端重疊，所述第2金屬薄膜具有第2開(kāi)口部，該第2開(kāi)口部在所述厚度方向上投影觀察時(shí)與所述第1開(kāi)口部以及所述第2開(kāi)口端重疊，所述導(dǎo)體層具有配置于所述貫通孔且與所述金屬支承基板連接的通路部。

本發(fā)明[2]在上述[1]所述的布線電路基板的基礎(chǔ)上，所述金屬支承基板具備金屬支承層和配置于該金屬支承層的所述絕緣層側(cè)且導(dǎo)電率比所述金屬支承層高的表面金屬層，所述通路部與所述表面金屬層連接。

本發(fā)明[3]在上述[1]或[2]所述的布線電路基板的基礎(chǔ)上，所述第1開(kāi)口部沿著所述第1開(kāi)口端開(kāi)口。