[發明專利]布線電路基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202211327691.7
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN116075038A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 池田敬裕;新納鐵平
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/05;H05K3/00;H05K3/06;H05K3/10;H05K3/44
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種布線電路基板，其在厚度方向上依次具備金屬支承基板、第1金屬薄膜、絕緣層、第2金屬薄膜以及導體層，其中，

所述絕緣層具有在所述厚度方向上貫通的貫通孔，該貫通孔具有所述第1金屬薄膜側的第1開口端、與該第1開口端相反的一側的第2開口端、以及該第1開口端與第2開口端之間的內壁面，

所述第1金屬薄膜具有第1開口部，該第1開口部在所述厚度方向上投影觀察時與所述第1開口端重疊，

所述第2金屬薄膜具有第2開口部，該第2開口部在所述厚度方向上投影觀察時與所述第1開口部以及所述第2開口端重疊，

所述導體層具有配置于所述貫通孔且與所述金屬支承基板連接的通路部。

2.根據權利要求1所述的布線電路基板，其中，

所述金屬支承基板具備金屬支承層和配置于該金屬支承層的所述絕緣層側且導電率比所述金屬支承層高的表面金屬層，

所述通路部與所述表面金屬層連接。

3.根據權利要求1所述的布線電路基板，其中，

所述第1開口部沿著所述第1開口端開口。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的布線電路基板，其中，

所述第2金屬薄膜具有所述內壁面上的第1覆蓋部。

5.根據權利要求4所述的布線電路基板，其中，

所述第2開口部在所述金屬支承基板上沿著所述第1開口部開口。

6.根據權利要求4所述的布線電路基板，其中，

所述第2金屬薄膜具有所述金屬支承基板上的第2覆蓋部，所述第2開口部在所述金屬支承基板上配置于所述第1開口部的內側。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的布線電路基板，其中，

所述第2開口部在所述絕緣層上沿著所述第2開口端開口。

8.根據權利要求1～3中任一項所述的布線電路基板，其中，

所述第2開口部在所述絕緣層上開口，在所述厚度方向上投影觀察時，所述第2開口端配置于所述第2開口部內。

9.根據權利要求1或2所述的布線電路基板，其中，

所述第1金屬薄膜具有延伸部，在所述厚度方向上投影觀察時，該延伸部向所述第1開口端內延伸并限定所述第1開口部，

所述第2金屬薄膜具有所述內壁面上的第1覆蓋部和所述延伸部上的第2覆蓋部，所述第2開口部沿著所述第1開口部開口。

10.一種布線電路基板的制造方法，其中，

該制造方法包括：

第1金屬薄膜形成工序，在該工序中，在金屬支承基板的厚度方向一側的面上形成第1金屬薄膜；

絕緣層形成工序，在該工序中，在所述第1金屬薄膜的厚度方向一側的面上形成具有貫通孔的絕緣層，該貫通孔具有所述第1金屬薄膜側的第1開口端、與該第1開口端相反的一側的第2開口端、以及該第1開口端與第2開口端之間的內壁面；

第2金屬薄膜形成工序，在該工序中，跨所述絕緣層的厚度方向一側的面和所述第1金屬薄膜的位于所述貫通孔的部分地形成第2金屬薄膜；

開口部形成工序，在該工序中，在所述第1金屬薄膜以及所述第2金屬薄膜形成在所述厚度方向上投影觀察時與所述第1開口端以及所述第2開口端重疊的開口部，使所述金屬支承基板在所述貫通孔暴露；以及

導體層形成工序，在該工序中，跨所述第2金屬薄膜的厚度方向一側的面和所述金屬支承基板的位于所述貫通孔的部分地形成導體層。

11.一種布線電路基板的制造方法，其中，

該制造方法包括：

第1金屬薄膜形成工序，在該工序中，在金屬支承基板的厚度方向一側的面上形成第1金屬薄膜；

絕緣層形成工序，在該工序中，在所述第1金屬薄膜的厚度方向一側的面上形成具有貫通孔的絕緣層，該貫通孔具有所述第1金屬薄膜側的第1開口端、與該第1開口端相反的一側的第2開口端、以及該第1開口端與第2開口端之間的內壁面；

第1開口部形成工序，在該工序中，在所述第1金屬薄膜形成沿著所述第1開口端開口的第1開口部，使所述金屬支承基板在所述貫通孔暴露；

第2金屬薄膜形成工序，在該工序中，跨所述絕緣層的厚度方向一側的面和所述金屬支承基板的位于所述貫通孔的部分地形成第2金屬薄膜；

第2開口部形成工序，在該工序中，在所述第2金屬薄膜形成在所述厚度方向上投影觀察時與所述第1開口部以及所述第2開口端重疊的第2開口部，使所述金屬支承基板在所述貫通孔暴露；以及

導體層形成工序，在該工序中，跨所述第2金屬薄膜的厚度方向一側的面和所述金屬支承基板的位于所述貫通孔的部分地形成導體層。