[發明專利]成膜方法和成膜裝置

在審

• 申請號: 202211326911.4
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN116065139A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 藤田成樹;村上博紀
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/455;C23C16/04;C23C16/40;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種成膜方法和成膜裝置，能夠提高形成金屬膜的區域的選擇性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)準備在表面具有含硼的第一膜、以及由與所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)對所述基板的所述表面供給含鹵素和鹵素以外的元素X的原料氣體。(C)對所述基板的所述表面供給等離子體化后的包含氧的反應氣體。在所述成膜方法中，通過交替地進行所述原料氣體的供給和所述等離子體化后的所述反應氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。

技術領域

本發明涉及一種成膜方法和成膜裝置。

背景技術

專利文獻1所記載的氮化膜的形成方法包括使氯氣吸附于第一基底膜和第二基底膜的表面的工序、以及對吸附有氯氣的第一基底膜和第二基底膜中的一方選擇性地形成氮化膜的工序。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-174919號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明的一個方式提供一種相對于含硼的第一膜選擇性地在由與第一膜的材料不同的材料形成的第二膜上形成氧化膜的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式的成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)準備在表面具有含硼的第一膜、以及由與所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)對所述基板的所述表面供給含鹵素和鹵素以外的元素X的原料氣體。(C)對所述基板的所述表面供給等離子體化后的包含氧的反應氣體。在所述成膜方法中，通過交替地進行所述原料氣體的供給和所述等離子體化后的所述反應氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三膜是所述元素X的氧化膜。

發明的效果

根據本公開的一個方式，能夠相對于含硼的第一膜選擇性地在由與第一膜的材料不同的材料形成的第二膜上形成氧化膜。

附圖說明

圖1是示出一個實施方式所涉及的成膜方法的流程圖。

圖2是示出通過S101準備的基板的第一例的圖。

圖3是示出通過S101準備的基板的第二例的圖。

圖4是示出通過S101準備的基板的第三例的圖。

圖5是示出通過S101準備的基板的第四例的圖。

圖6是示出通過S101準備的基板的第五例的圖。

圖7是示出通過S101準備的基板的第六例的圖。

圖8是示出通過S101準備的基板的第七例的圖。

圖9是示出通過S101實施的S201～S205的一例的流程圖。

圖10是示出通過S101準備的基板的第八例的圖。

圖11是示出一個實施方式所涉及的成膜裝置的截面圖。

圖12是表示例1的處理前的基板的SEM照片。

圖13是表示例1的處理后的基板的SEM照片。

圖14是表示例9的處理前的基板的SEM照片。

圖15是表示例9的處理后的基板的SEM照片。

圖16是表示例13的處理前的基板的SEM照片。

圖17是表示例13的處理后的基板的SEM照片。

圖18是表示例14的處理前的基板的SEM照片。