[發(fā)明專利]成膜方法和成膜裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211326911.4
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN116065139A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設計）人: 藤田成樹;村上博紀
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/455;C23C16/04;C23C16/40;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種成膜方法，包括：

準備在表面具有含硼的第一膜、以及由與所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板；

對所述基板的所述表面供給含鹵素和鹵素以外的元素X的原料氣體；以及

對所述基板的所述表面供給等離子體化后的包含氧的反應氣體，

所述成膜方法包括：通過交替地進行所述原料氣體的供給和所述等離子體化后的所述反應氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三膜是所述元素X的氧化膜。

2.一種成膜方法，包括：

準備在表面具有含硼的第一膜、以及由與所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板；

對所述基板的所述表面供給含鹵素和鹵素以外的元素X的原料氣體；以及

不將O₃氣體等離子體化地對所述基板的所述表面供給O₃氣體，

所述成膜方法包括：通過交替地進行所述原料氣體的供給和所述O₃氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三膜是所述元素X的氧化膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第二膜實質(zhì)上不含硼。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

準備所述基板包括：相對于所述第二膜選擇性地在由與所述第二膜的材料不同的材料形成的第四膜上形成所述第一膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜方法，其特征在于，按順序包括：

準備在表面具有所述第二膜和所述第四膜的所述基板；

相對于所述第二膜選擇性地在所述第四膜上形成所述第一膜；

相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成所述第三膜；

相對于所述第三膜選擇性地在所述第四膜或所述第一膜上再次形成所述第一膜；以及

相對于所述第一膜選擇性地在所述第三膜上再次形成所述第三膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述準備的所述基板在所述表面具有凹部，所述第一膜僅在所述凹部的內(nèi)部露出，所述第一膜至少在所述凹部的底面露出。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述準備的所述基板在所述表面具有凹部，所述第二膜僅在所述凹部的內(nèi)部露出，所述第二膜至少在所述凹部的底面露出。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述元素X包括金屬元素。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述元素X包括過渡金屬元素。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述元素X包括半導體元素。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，包括：

通過重復進行包含作為所述元素X的元素X1的所述原料氣體的供給、包含作為所述元素X的與所述元素X1不同的元素X2的所述原料氣體的供給、以及所述等離子體化后的所述反應氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成所述元素X的氧化膜即所述第三膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，包括：

通過重復進行包含作為所述元素X的元素X1的所述原料氣體的供給、所述等離子體化后的所述反應氣體的供給、包含作為所述元素X的與所述元素X1不同的元素X2的所述原料氣體的供給、以及所述等離子體化后的所述反應氣體的供給，來相對于所述第一膜選擇性地在所述第二膜上形成所述元素X的氧化膜即所述第三膜。