[發明專利]電致發光測試方法及設備

在審

• 申請號: 202211313605.7
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN115831928A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 陳張笑雄;朱汶;王群;龔逸品
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種電致發光測試方法及設備，屬于半導體檢測技術領域。該電致發光測試方法，包括：在外延片的表面切割出多個切口，各切口沿外延片的外邊緣依次間隔排布，切口由外延片的表面延伸至外延片的n型層；提供多個n電極觸點，將各n電極觸點分別與各切口接觸；提供p電極探頭，驅動p電極探頭依次與外延片的表面上的測試點接觸，從而獲取外延片的測試數據。本公開能夠提高電致發光測試的準確度。

技術領域

本公開涉及半導體檢測技術領域，特別涉及一種電致發光測試方法及設備。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是一種可以把電能轉化成光能的半導體二極管。LED具有高效節能、綠色環保的優點，在交通指示、戶外全色顯示等領域有著廣泛的應用。LED制作時，先在襯底上外延生長出外延層，形成LED外延片，再在LED外延片上設置電極，并對LED外延片進行切割，得到至少兩個相互獨立的LED芯片，最后對LED芯片進行封裝，得到LED。

在相關技術中，外延層生長完成后，需要對外延片進行測試，判斷其是否符合最終的產品需求。測試方法主要包括目檢、金相顯微鏡、光致發光(PL)測試、電致發光(EL)測試、透射電鏡(TEM)與X射線衍射(XRD)等。其中，電致發光測試為一種常用的測試方式，通過向外延片輸入電流，以使得外延片的出光，并以此采集相應的測試數據，用于判斷其是否符合最終的產品需求。

然而，由于外延片的表面歐姆接觸較差，導致測試結果準確度較低。

發明內容

本公開實施例提供了一種電致發光測試方法及設備，能夠提高電致發光測試的準確度。所述技術方案如下：

一方面，本公開實施例提供了一種電致發光測試方法，包括：

在外延片的表面切割出多個切口，各所述切口沿所述外延片的外邊緣依次間隔排布，所述切口由所述外延片的表面延伸至所述外延片的n型層；

提供多個n電極觸點，將各所述n電極觸點分別與各所述切口接觸；

提供p電極探頭，驅動所述p電極探頭依次與所述外延片的表面上的測試點接觸，從而獲取所述外延片的測試數據。

在本公開的一種實現方式中，所述切口的長度為0.5～5mm。

在本公開的一種實現方式中，當所述外延片的尺寸為2～4inch時，所述切口與所述外延片的外邊緣之間的距離不大于3mm；

當所述外延片的尺寸為6～12inch時，所述切口與所述外延片的外邊緣之間的距離不大于4mm。

在本公開的一種實現方式中，所述切口的延伸軌跡與所述外延片的外邊緣相匹配。

在本公開的一種實現方式中，驅動所述p電極探頭依次與所述外延片的表面上的測試點接觸，包括：

通過步進電機驅動所述p電極探頭在x方向、y方向、z方向上移動，所述x方向、所述y方向和所述z方向相互垂直，且所述x方向和所述y方向均垂直于所述p電極探頭的朝向，所述z方向平行于與所述p電極探頭的朝向；

所述p電極探頭在所述x方向和所述y方向上的移動步距為1～10mm，所述p電極探頭在所述z方向上的移動距離不大于4mm。

在本公開的一種實現方式中，驅動所述p電極探頭依次與所述外延片的表面上的測試點接觸，包括：

確定所述p電極探頭的移動邊界，所述p電極探頭的移動邊界與所述外延片的外邊緣相匹配，且所述p電極探頭的移動邊界與所述外延片的外邊緣之間的距離為2～4mm。

在本公開的一種實現方式中，獲取所述外延片的測試數據，包括：

所述p電極探頭包括p電極觸點和光纖；