[發(fā)明專利]電致發(fā)光測(cè)試方法及設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211313605.7
• 申請(qǐng)日: 2022-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN115831928A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳張笑雄;朱汶;王群;龔逸品
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，包括：

在外延片(100)的表面切割出多個(gè)切口(1100)，各所述切口(1100)沿所述外延片(100)的外邊緣依次間隔排布，所述切口(1100)由所述外延片(100)的表面延伸至所述外延片(100)的n型層；

提供多個(gè)n電極觸點(diǎn)(120)，將各所述n電極觸點(diǎn)(120)分別與各所述切口(1100)接觸；

提供p電極探頭(230)，驅(qū)動(dòng)所述p電極探頭(230)依次與所述外延片(100)的表面上的測(cè)試點(diǎn)接觸，從而獲取所述外延片(100)的測(cè)試數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，所述切口(1100)的長(zhǎng)度為0.5～5mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，當(dāng)所述外延片(100)的尺寸為2～4inch時(shí)，所述切口(1100)與所述外延片(100)的外邊緣之間的距離不大于3mm；

當(dāng)所述外延片(100)的尺寸為6～12inch時(shí)，所述切口(1100)與所述外延片(100)的外邊緣之間的距離不大于4mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，所述切口(1100)的延伸軌跡與所述外延片(100)的外邊緣相匹配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述p電極探頭(230)依次與所述外延片(100)的表面上的測(cè)試點(diǎn)接觸，包括：

通過步進(jìn)電機(jī)(210)驅(qū)動(dòng)所述p電極探頭(230)在x方向、y方向、z方向上移動(dòng)，所述x方向、所述y方向和所述z方向相互垂直，且所述x方向和所述y方向均垂直于所述p電極探頭(230)的朝向，所述z方向平行于與所述p電極探頭(230)的朝向；

所述p電極探頭(230)在所述x方向和所述y方向上的移動(dòng)步距為1～10mm，所述p電極探頭(230)在所述z方向上的移動(dòng)距離不大于4mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述p電極探頭(230)依次與所述外延片(100)的表面上的測(cè)試點(diǎn)接觸，包括：

確定所述p電極探頭(230)的移動(dòng)邊界，所述p電極探頭(230)的移動(dòng)邊界與所述外延片(100)的外邊緣相匹配，且所述p電極探頭(230)的移動(dòng)邊界與所述外延片(100)的外邊緣之間的距離為2～4mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，其特征在于，獲取所述外延片(100)的測(cè)試數(shù)據(jù)，包括：

所述p電極探頭(230)包括p電極觸點(diǎn)(231)和光纖(232)；

導(dǎo)通所述p電極觸點(diǎn)(231)和目標(biāo)n電極觸點(diǎn)(120)，所述目標(biāo)n電極觸點(diǎn)(120)為，處于所述外延片(100)的中心與所述p電極觸點(diǎn)(231)之間連線的延長(zhǎng)線上的所述n電極觸點(diǎn)(120)；

通過所述p電極觸點(diǎn)(231)獲取所述外延片(100)的電學(xué)數(shù)據(jù)，通過所述p電極探頭(230)的光纖(232)，獲取所述外延片(100)的光學(xué)數(shù)據(jù)。

8.一種電致發(fā)光測(cè)試設(shè)備，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光測(cè)試方法，所述電致發(fā)光測(cè)試設(shè)備包括：

n電極組件(10)，包括基座(110)和多個(gè)n電極觸點(diǎn)(120)，各所述n電極觸點(diǎn)(120)均位于所述基座(110)的同一面，且沿所述基座(110)的外邊緣依次間隔排布；

p電極組件(20)，包括步進(jìn)電機(jī)(210)、移動(dòng)座(220)和p電極探頭(230)，所述移動(dòng)座(220)與所述步進(jìn)電機(jī)(210)傳動(dòng)連接，所述p電極探頭(230)與所述移動(dòng)座(220)的一面相連，所述p電極探頭(230)的朝向與所述n電極觸點(diǎn)(120)的朝向相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述p電極探頭(230)包括p電極觸點(diǎn)(231)和光纖(232)；

所述光纖(232)圍設(shè)在所述p電極觸點(diǎn)(231)的四周，且所述p電極觸點(diǎn)(231)和所述光纖(232)均與所述移動(dòng)座(220)相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述n電極觸點(diǎn)(120)為金屬銦；

所述p電極觸點(diǎn)(231)為金屬銀。