[發明專利]發光二極管芯片的測試方法在審
| 申請號： | 202211305703.6 | 申請日： | 2022-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN115808604A | 公開（公告）日： | 2023-03-17 |
| 發明（設計）人： | 李云峰;胡根水;劉康;陳建南;肖和平;朱迪;張曉東;薛龍 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 芯片 測試 方法 | ||
1.一種發光二極管芯片的測試方法，其特征在于，包括：
對所述發光二極管芯片進行第一次正向電壓測試，得到第一正向電壓；
對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試；
對所述發光二極管芯片進行第二次正向電壓測試，得到第二正向電壓；
根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格。
2.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：
所述第一正向電壓和所述第一正向電壓均位于第一預設范圍內，確定所述發光二極管芯片合格；
所述第一正向電壓和所述第一正向電壓中的至少一個位于所述第一預設范圍外，確定所述發光二極管芯片不合格。
3.根據權利要求2所述的測試方法，其特征在于，所述第一次正向電壓測試和所述第二次正向電壓測試在相同的電流下進行，所述第一預設范圍為1.6V～2.4V。
4.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：
獲取所述第一正向電壓和所述第二正向電壓的差值；
根據所述差值確定所述發光二極管芯片是否合格。
5.根據權利要求4所述的測試方法，其特征在于，所述根據所述差值確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：
所述差值位于第二預設范圍內，確定所述發光二極管芯片合格；
所述差值位于所述第二預設范圍外，確定所述發光二極管芯片不合格。
6.根據權利要求5所述的測試方法，其特征在于，所述第二預設范圍為-0.05V～+0.05V。
7.根據權利要求1～6任一項所述的測試方法，其特征在于，在對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試之后，所述測試方法還包括：
測試所述發光二極管芯片的逆向耐壓。
8.根據權利要求1～6任一項所述的測試方法，其特征在于，在對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試之前和/或之后，所述測試方法還包括：
測試所述發光二極管芯片的逆向漏電流。
9.根據權利要求1～6任一項所述的測試方法，其特征在于，在對所述發光二極管芯片進行第二次正向電壓測試之后，所述測試方法還包括：
測試所述發光二極管芯片的發光強度。
10.根據權利要求1～6任一項所述的測試方法，其特征在于，在對所述發光二極管芯片進行第二次正向電壓測試之后，所述測試方法還包括：
測試所述發光二極管芯片的發光波長。
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