[發明專利]發光二極管芯片的測試方法

在審

• 申請號: 202211305703.6
• 申請日: 2022-10-24
• 公開（公告）號: CN115808604A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 李云峰;胡根水;劉康;陳建南;肖和平;朱迪;張曉東;薛龍
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種發光二極管芯片的測試方法，屬于光電子制造技術領域。該測試方法包括：對所述發光二極管芯片進行第一次正向電壓測試，得到第一正向電壓；對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試；對所述發光二極管芯片進行第二次正向電壓測試，得到第二正向電壓；根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格。避免只通過靜電放電測試后的正向電壓測試的結果來確定發光二極管芯片是否合格而導致的部分異常發光二極管芯片過檢入庫，也就避免了微型發光二極管芯片流入到后續顯示模組的制作中。

技術領域

本公開涉及光電子制造技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片的測試方法。

背景技術

微型發光二極管(英文：Micro Light Emitting Diode，簡稱：Micro LED)是指尺寸在50微米～200微米的LED，作為光電子產業中極具影響力的新產品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點，廣泛應用于顯示設備中。

由于微型發光二極管的體積小，在制作顯示模組時，微型發光二極管布置的密度也更大，總體數量也更多，對于單顆微型發光二極管芯片的良率要求也更高。微型發光二極管芯片入庫之前，需要逐顆進行測試，例如進行靜電放電測試和正向電壓測試，只有測試合格的才會入庫。

發明人在實現本公開的過程中發現，原本經測試認為合格，已經入庫的微型發光二極管芯片中，存在一部分正向電壓偏高的異常微型發光二極管芯片。這些異常的微型發光二極管芯片，流入到顯示模組的制作中，會降低顯示模組的良率。

發明內容

本公開實施例提供了一種發光二極管芯片的測試方法，能夠減少入庫產品中，正向電壓偏高的異常發光二極管芯片的比例，有利于提高顯示模組的良率。所述技術方案如下：

本公開實施例提供了一種發光二極管芯片的測試方法，所述測試方法包括：

對所述發光二極管芯片進行第一次正向電壓測試，得到第一正向電壓；

對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試；

對所述發光二極管芯片進行第二次正向電壓測試，得到第二正向電壓；

根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格。

可選地，所述根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：

所述第一正向電壓和所述第一正向電壓均位于第一預設范圍內，確定所述發光二極管芯片合格；

所述第一正向電壓和所述第一正向電壓中的至少一個位于所述第一預設范圍外，確定所述發光二極管芯片不合格。

可選地，所述第一次正向電壓測試和所述第二次正向電壓測試在相同的電流下進行，所述第一預設范圍為1.6V～2.4V。

可選地，所述根據所述第一正向電壓和所述第二正向電壓確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：

獲取所述第一正向電壓和所述第二正向電壓的差值；

根據所述差值確定所述發光二極管芯片是否合格。

可選地，所述根據所述差值確定所述發光二極管芯片是否合格，包括：

所述差值位于第二預設范圍內，確定所述發光二極管芯片合格；

所述差值位于所述第二預設范圍外，確定所述發光二極管芯片不合格。

可選地，所述第二預設范圍為-0.05V～+0.05V。

可選地，在對所述發光二極管芯片進行靜電放電測試之后，所述測試方法還包括：

測試所述發光二極管芯片的逆向耐壓。