[發明專利]一種摻雜非晶硅層、制備方法、制備裝置和太陽能電池在審
| 申請號： | 202211298854.3 | 申請日： | 2022-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN115376893A | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發明（設計）人： | 毛文龍;林佳繼;劉群;張武 | 申請（專利權）人： | 深圳市拉普拉斯能源技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/0216;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518122 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 非晶硅層 制備 方法 裝置 太陽能電池 | ||
1.一種摻雜非晶硅層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
將硅片裝至沉積腔進行預處理，通入摻雜源、硅源和氫氣進行第一次沉積，提高摻雜源進料量后進行第二次沉積，制備得到所述的摻雜非晶硅層。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一次沉積中所述硅源、摻雜源和氫氣的體積比為1：（0.2~0.4）：（3~3.8）。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一次沉積中所述摻雜源的通入流量為100~500sccm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二次沉積中所述硅源、摻雜源和氫氣的體積比1：（1~1.3）：（2~3）。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二次沉積中所述摻雜源的通入流量為2000~2300sccm。
6.根據權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述沉積的溫度為400~420℃，所述沉積的壓力為1500~2000mtorr。
7.一種摻雜非晶硅層的制備裝置，其特征在于，所述制備裝置采用權利要求1-5任一項所述摻雜非晶硅層的制備方法，所述制備裝置包括具有沉積腔的殼體，所述沉積腔內設置有硅片放置件，所述硅片放置件用于放置多個硅片，所述殼體內設置有至少一個延伸至所述沉積腔內部的進氣管。
8.根據權利要求7所述的制備裝置，其特征在于，所述進氣管的出氣口設置于所述硅片的放置區域，所述進氣管上間隔設置有多個泄壓孔，所述泄壓孔的開口朝向所述殼體的內壁。
9.一種摻雜非晶硅層，其特征在于，所述摻雜非晶硅層采用權利要求1-5任一項所述的摻雜非晶硅層的制備方法制備得到。
10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括權利要求9所述的摻雜非晶硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
