[發明專利]一種電源轉換模塊的QFN封裝方法

在審

• 申請號: 202211277592.2
• 申請日: 2022-10-19
• 公開（公告）號: CN115696777A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 陸金發
• 申請（專利權）人: 江西安芯美科技有限公司
• 主分類號: H05K3/32
• 分類號: H05K3/32;H05K1/11;H05K1/18;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/13;H01L23/31;H01L23/34;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/48;H01L23/49
• 代理公司: 南昌賢達專利代理事務所(普通合伙) 36136
• 代理人: 董艷

本發明涉及QFN封裝技術領域，且公開了一種電源轉換模塊的QFN封裝方法，解決了現有QFN封裝結構內部導熱效果不好以及與PCB板連接容易造成短路以及連接不穩定的問題，其包括電源轉換模塊PCB板和若干QFN封裝體，QFN封裝體由封裝底座、芯片座、芯片和塑封體構成，封裝底座頂端側邊設有若干第一引腳，芯片頂端側邊設有若干第二引腳，第一引腳與第二引腳之間通過金屬導線連接；通過該QFN封裝結構的電源轉換模塊能夠提高內部導熱效果，使得芯片上的熱量快速散出，并能夠提高內部引腳之間連接穩定性以及QFN封裝體與電源轉換模塊PCB板連接的穩定性，同時能夠避免出現爬錫現象，避免造成短路。

技術領域

本發明屬于QFN封裝技術領域，具體為一種電源轉換模塊的QFN封裝方法。

背景技術

QFN是一種無引腳封裝，呈正方形或矩形。由于QFN封裝不像傳統的SOIC與TSOP封裝那樣具有鷗翼狀引線，內部引腳與焊盤之間的導電路徑短，自感系數以及封裝體內布線電阻很低，所以，它能提供卓越的電性能。此外，它還通過外露的引線框架焊盤提供了出色的散熱性能，該焊盤具有直接散熱的通道，用于釋放封裝內的熱量。通常，將散熱焊盤直接焊接在電路板上，并且PCB中的散熱過孔有助于將多余的功耗擴散到銅接地板中，從而吸收多余的熱量。

但是目前的QFN封裝結構，其內部芯片引腳與封裝底座上的引腳之間仍然是通過絲狀引線進行連接，其連接處為單焊點，容易出現接觸不良的情況，而且熱傳導效果不好，不能夠將芯片上的熱量快速傳遞至封裝底座上的引腳，從而影響散熱性能；另外，目前的QFN封裝結構在與PCB板連接時，若錫量過多可能會出現爬錫現象，從而容易造成短路，若錫量過少，則會導致連接穩定性不好，連接強度不高的缺點，容易造成連接處的脫落。

發明內容

針對上述情況，為克服現有技術的缺陷，本發明提供一種電源轉換模塊的QFN封裝方法，有效的解決了現有QFN封裝結構內部導熱效果不好以及與PCB板連接容易造成短路以及連接不穩定的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種電源轉換模塊的QFN封裝方法，包括電源轉換模塊PCB板和若干QFN封裝體，所述QFN封裝體連接于電源轉換模塊PCB板的頂端，QFN封裝體由封裝底座、芯片座、芯片和塑封體構成，芯片座連接于封裝底座的頂端，芯片連接于芯片座的頂端，塑封體連接于封裝底座和芯片的頂端，封裝底座頂端的側邊設置有若干穿插于封裝底座的第一引腳，芯片頂端的側邊設置有若干與第一引腳相匹配的第二引腳，第一引腳與第二引腳之間通過金屬導線連接。

優選的，所述QFN封裝體通過焊錫連接于電源轉換模塊PCB板的頂端，電源轉換模塊PCB板的頂端設置有若干與第一引腳相匹配的印刷引腳。

優選的，所述第一引腳由穿插段和裸露段構成，穿插段固定連接于裸露段的頂端，穿插段穿插于封裝底座，裸露段位于封裝底座側邊的底端。

優選的，所述裸露段的底端開設有焊錫填充槽，焊錫填充槽為弧形結構，焊錫填充槽的底面設置有蝕刻層，蝕刻層為不規則蝕刻面結構。

優選的，所述封裝底座的頂端開設有與芯片座相匹配的放置凹槽一，芯片座的頂端開設有與芯片相匹配的放置凹槽二，封裝底座頂端的四角固定設置有與塑封體相匹配的T型限位連接支臂。

優選的，所述第一引腳的頂端開設有與金屬導線相匹配的連接卡槽一，第二引腳的頂端開設有與金屬導線相匹配的連接卡槽二。

優選的，所述金屬導線由第一連接觸片、第二連接觸片和連接段構成，第一連接觸片固定連接于連接段的底端并與連接卡槽一相匹配，第二連接觸片固定連接于連接段的頂端并與連接卡槽二相匹配，第一連接觸片、第二連接觸片和連接段均為銅材質。

優選的，所述電源轉換模塊的QFN封裝方法，包括以下步驟：

步驟一，在第一引腳的底端開設焊錫填充槽，并在焊錫填充槽的底端進行蝕刻形成不規則蝕刻面結構的蝕刻層；