[發(fā)明專(zhuān)利]一種5G基站殼用低介電材料及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211270852.3
• 申請(qǐng)日: 2022-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115612297A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳麗萍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市米韻科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C08L79/08
• 分類(lèi)號(hào): C08L79/08;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/34;C08G73/10;C08G83/00
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1.一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：由改性樹(shù)脂液與強(qiáng)化填料以重量份比25-30:4-8共混復(fù)合制得；

所述的改性樹(shù)脂液由如下步驟制成：

將4,4'-二氨基二苯醚、1,3-雙(4'-氨基苯氧基)苯、N,N'-二氨基乙酰胺混合均勻，加入4,4'-六氟亞異丙基鄰苯二甲酸酐，進(jìn)行反應(yīng)，加入二甲苯，升溫進(jìn)行反應(yīng)，降至室溫并加入乙醇，過(guò)濾去除濾液，將底物和雙酚A型氰酸酯單體混合攪拌后，升溫反應(yīng)，制得改性樹(shù)脂液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：所述的4,4'-二氨基二苯醚、1,3-雙(4'-氨基苯氧基)苯、4,4'-六氟亞異丙基鄰苯二甲酸酐的用量摩爾比為1:1:2.25，底物和雙酚A型氰酸酯單體的用量質(zhì)量比為1:3.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：所述的強(qiáng)化填料由如下步驟制成：

步驟A1：將檸檬酸溶于去離子水中，加入環(huán)氧氯丙烷和氫氧化鈉，進(jìn)行反應(yīng)后，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值為酸性，蒸餾去除去離子水，再過(guò)濾去除濾液，制得中間體1；

步驟A2：將納米氮化硅分散在去離子水中，加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷和乙醇，進(jìn)行反應(yīng)后，過(guò)濾去除濾液，將底物分散在四氫呋喃中，加入中間體1并調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值為堿性，進(jìn)行反應(yīng)后，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值為酸性，制得改性納米碳化硅；

步驟A3：將改性納米碳化硅、N-羥基琥珀酰亞胺、去離子水混合均勻，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值，進(jìn)行反應(yīng)后，加入金屬有機(jī)框架、醋酸鉛、環(huán)糊精，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值，進(jìn)行反應(yīng)后，過(guò)濾去除濾液，將底物烘干，制得強(qiáng)化填料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：步驟A1所述的檸檬酸、環(huán)氧氯丙烷、氫氧化鈉的用量摩爾比為1:1:1.1。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：步驟A2所述的納米氮化硅、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、中間體1的用量質(zhì)量比為5:0.5:0.3。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G基站殼用低介電材料，其特征在于：步驟A3所述的改性納米碳化硅、N-羥基琥珀酰亞胺、金屬有機(jī)框架、醋酸鉛、環(huán)糊精的用量比為2:1.5:0.8:20:8.5。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G基站殼用低介電材料的制備方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

將改性樹(shù)脂液和強(qiáng)化填料混合均勻，在溫度為100-110℃的條件下，脫氣處理2-4h后，加入模具中，升溫至溫度為130-150℃，進(jìn)行反應(yīng)1-2h后，繼續(xù)升溫至溫度為160-180℃，進(jìn)行反應(yīng)2-3h后，降至室溫，脫模制得低介電材料。