[發明專利]一種用于多晶硅的干燥裝置及干燥方法

在審

• 申請號: 202211267042.2
• 申請日: 2022-10-17
• 公開（公告）號: CN115930555A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 劉虎;杜斌功;魏強;安生虎;周國峰;高鵬;梁艷紅;井國升;何強;王澤飛
• 申請（專利權）人: 青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司;青海芯測科技有限公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: F26B9/06
• 分類號: F26B9/06;F26B21/00;F26B21/04;F26B3/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進

本發明公開了一種用于多晶硅的干燥裝置及干燥方法，所述干燥裝置包括：鼓風單元、加熱單元和箱體，鼓風單元將潔凈的空氣加壓后鼓入到加熱單元；加熱單元對鼓入的空氣進行加熱形成熱空氣并將熱空氣通入箱體；箱體承載待干燥的多晶硅；箱體內部形成中空腔體結構，箱體內壁表面覆蓋有防腐蝕的保護層，箱體上開設有進風口和出風口，出風口連接有負壓單元；箱體還包括頂部設置的箱蓋，箱蓋使箱體呈密封狀態。本發明提供的干燥裝置及干燥方法，取消了原有的利用真空泵降低水的沸點并將蒸發的水分不斷的抽出的方法，直接通過向多晶硅通入高溫度的熱空氣，讓高溫度的熱空氣干燥多晶硅，提高了干燥效率同時降低干燥過程中的能耗。

技術領域

本發明屬于多晶硅生產技術領域，尤其涉及一種用于多晶硅的干燥裝置及干燥方法。

背景技術

多晶硅是集成電路產業和光伏產業的基礎原材料。目前，制備多晶硅主要利用改良西門子法，該方法是在高溫環境下利用三氯氫硅和氫氣反應在表面沉積來制備多晶硅棒，然后對多晶硅棒進行破碎后再清洗后制得最終的產品。多晶硅利用清洗液清洗完畢后需要放置于干燥箱中進行干燥。目前，大部分硅塊干燥工藝均采用真空干燥法，即將清洗完畢的硅塊放置于一個方形或圓形的容器中，利用真空泵提供真空環境降低水的沸點，并將蒸發的水分不斷的抽出，從而達到干燥的目的。

采用上述所述的方式對硅塊進行干燥往往效率不高，例如，20kg的硅塊需要5h～10h才能完全干燥，且硅塊粒徑的越小，干燥時間越長。因此這種干燥方式不僅干燥效率低下，而且因需要加熱，干燥的時間越長，能耗也越高。因此提高干燥效率并降低能耗是非常重要的。

發明內容

鑒于現有技術存在的不足，本發明提供了一種用于多晶硅的干燥裝置及干燥方法，以解決現有的多晶硅生產中多晶硅的干燥效率低的問題。

為了解決以上問題，本發明首先提供了一種用于多晶硅的干燥裝置，所述干燥裝置包括：鼓風單元、加熱單元和箱體，

所述鼓風單元用于將潔凈的空氣鼓入到加熱單元；

所述加熱單元用于對鼓入的空氣進行加熱形成熱空氣并將熱空氣通入所述箱體；

所述箱體用于承載待干燥的多晶硅；

其中，所述箱體內部形成中空腔體結構，所述箱體的內壁表面覆蓋有防腐蝕的保護層，所述箱體上開設有進風口和出風口，所述出風口(302)連接有負壓單元；所述箱體還包括頂部設置的箱蓋，所述箱蓋使所述箱體呈密封狀態。

具體地，所述鼓風單元為鼓風機。

優選地，所述加熱單元包括熱電偶和石英管，所述石英管一端連接所述鼓風單元，所述石英管另一端連接所述進風口，所述熱電偶用于對所述石英管進行加熱。

優選地，所述箱體內部設有網格狀的承載部件，所述網格狀的承載部件遠離所述箱體內部底面，所述網格狀的承載部件用于承載待干燥的多晶硅。

本發明還提供了一種多晶硅的干燥方法，采用上述所述的干燥裝置，所述干燥方法包括如下步驟：

S10、將待干燥的多晶硅置于箱體中；

S20、采用鼓風單元將潔凈的空氣鼓入到加熱單元加熱形成熱空氣；

S30、將得到的熱空氣通入所述箱體中，熱空氣將待干燥的多晶硅表面的水分汽化，達到干燥多晶硅的目的。

優選地，所述熱空氣的溫度為300℃～400℃。

優選地，所述步驟S30中所述熱空氣通入所述箱體后，一部分通過所述出風口排出，一部分通過所述進風口回流到所述加熱單元，經所述加熱單元加熱后再次進入所述箱體，以此循環。