[發明專利]基板處理設備及基板處理方法

在審

• 申請號: 202211262241.4
• 申請日: 2022-10-14
• 公開（公告）號: CN115985835A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 孫源湜;吳世勛;鄭仁基
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張瑾

本發明提供了一種基板處理設備及基板處理方法，具體地，提供了一種用于處理基板的裝置，所述設備包括：具有處理空間的處理容器；用于在處理空間中支承基板并旋轉基板的支承單元；用于供應處理液體至由支承單元支承的基板的液體供應單元；及用于加熱基板的加熱單元，其中支承單元包括：自旋卡盤；用于旋轉自旋卡盤的旋轉驅動器；安裝于自旋卡盤上從而與自旋卡盤一起旋轉的卡盤銷；及卡盤銷移動單元，用于在卡盤銷與基板的側面部分接觸的接觸位置與卡盤銷從基板的側面部分隔離開的打開位置之間移動卡盤銷，且卡盤銷移動單元在基板由自旋卡盤旋轉的同時移動卡盤銷。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年10月14日提交韓國知識產權局的、申請號為10-2021-0136382的韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本發明涉及一種基板處理設備及一種基板處理方法。

背景技術

為了制造半導體設備或液晶顯示器，在基板上執行各種工藝，諸如攝影、灰化、離子植入、薄膜沉積、及清洗。其中，蝕刻工藝或清洗工藝是移除形成于基板上的薄膜的不必要區域，或蝕刻或清洗異物、顆粒、及類似物，并要求薄膜具有高選擇性、高蝕刻率、及蝕刻均勻性的工藝，且由于半導體設備是高度整合的，故需要更高水平的蝕刻選擇性及蝕刻均勻性。

一般而言，在基板的蝕刻工藝或清洗工藝中，依序執行處理液體處理操作、沖洗處理操作、及干燥處理操作。在一個實例中，在處理液體處理操作中，將用于蝕刻形成于基板上的薄膜或移除基板上的異物的處理液體供應至基板以形成熔池，接著加熱處理液體熔池以促進通過處理液體的蝕刻，并在沖洗處理操作中，將諸如純水的沖洗液供應至基板上。

通過將基板放置于支承單元上并在旋轉支承單元的同時將處理液體供應至基板上來執行上述處理液體處理操作。支承單元設置有卡盤銷，用于支承基板的側面部分，以防止基板在旋轉期間在支承單元的側向方向上移動。卡盤銷在基板加載或卸除至支承單元上時為待放置基板提供空間的備用位置與放置于支承單元上的基板旋轉的同時隨著執行工藝與基板的側面部分接觸的支承位置之間移動。相應地，放置于備用位置中的卡盤銷之間提供的空間比放置于支承位置中的卡盤銷之間提供的空間更寬。

一般而言，當在基板上形成熔池時，會出現一個問題，即，由于基板與卡盤銷之間的接觸，處理液體會沿卡盤銷流下。此外，存在一個問題，即，由于處理液體沿卡盤銷流下的現象，很難保持一定的液膜量。

發明內容

本發明旨在提供一種能夠有效處理基板的基板處理設備及基板處理方法。

本發明還旨在提供一種卡盤銷在通過旋轉基板的工藝期間在其中自由移動的支承單元、以及基板處理設備及其使用方法。

本發明的目的并不限于此，且本領域一般技術人員可從以下描述清楚地理解其他未提及的目的。

本發明的示例性實施方案提供一種用于處理基板的設備，所述設備包括：具有處理空間的處理容器；用于在處理空間中支承基板并旋轉基板的支承單元；用于供應處理液體至由支承單元支承的基板的液體供應單元；及用于加熱基板的加熱單元，其中支承單元包括：自旋卡盤；用于旋轉自旋卡盤的旋轉驅動器；安裝于自旋卡盤上從而與自旋卡盤一起旋轉的卡盤銷；及卡盤銷移動單元，用于在卡盤銷與基板的側面部分接觸的接觸位置與卡盤銷從基板的側面部分間隔開的打開位置之間移動卡盤銷，且卡盤銷移動單元在基板由自旋卡盤旋轉的同時移動卡盤銷。

卡盤銷移動單元可以包括：包括設置成可以在垂直方向上由提升驅動器移動的第一離合器的第一離合器模塊；及包括面對第一離合器并聯接至卡盤銷的第二離合器的第二離合器模塊。

當第一離合器與第二離合器接觸時，卡盤銷可以從接觸位置移動至打開位置。

當第一離合器從第二離合器間隔開時，卡盤銷可以位于接觸位置。