[發明專利]閃存結構的形成方法

在審

• 申請號: 202211261382.4
• 申請日: 2022-10-14
• 公開（公告）號: CN115425027A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 吳志濤;李志國;徐杰;劉志斌;孫崢
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李娟

一種閃存結構的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成存儲柵材料層；對所述存儲柵材料層進行第一圖形化處理，在所述存儲柵材料層內形成相互分立且暴露出所述襯底的字線柵開口和兩個源漏開口，所述兩個源漏開口分別位于所述字線柵開口兩側，以所述字線柵開口和所述源漏開口之間的存儲柵材料層形成存儲柵結構；在所述字線柵開口和所述源漏開口內形成初始字線柵結構；對所述初始字線柵結構進行第二圖形化處理，以去除所述源漏開口內的所述初始字線柵結構，在所述字線柵開口內形成字線柵結構，避免了因套刻誤差造成的兩個存儲柵結構的差異，進而提高了閃存結構的性能穩定性。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種閃存結構的形成方法。

背景技術

閃存(Flash Memory)是一種非易失性存儲器，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，即斷電數據也不會丟失。根據結構不同，閃存可分為或非型閃存(NORFlash)和與非型閃存(NAND Flash)兩種。其中，或非型閃存因為具備可直接執行代碼、可靠性強、讀取速度快等特性，從而成為閃存技術中主流的非易失性存儲器，被廣泛應用于手機或主板等需要記錄系統編碼的領域。

隨著半導體技術的不斷發展，縮小或非型閃存的存儲單元尺寸也勢在必行。然而，尺寸縮小可能會給或非型閃存帶來的，諸如可靠性失效、編程效率低等，問題會越發顯著。

因此，現有技術形成的或非型閃存結構性能有待進一步提高。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種閃存結構的形成方法，以提高形成的閃存結構的性能。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案提供一種閃存結構的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成存儲柵材料層；對所述存儲柵材料層進行第一圖形化處理，在所述存儲柵材料層內形成相互分立且暴露出所述襯底的字線柵開口和兩個源漏開口，所述兩個源漏開口分別位于所述字線柵開口兩側，以所述字線柵開口和所述源漏開口之間的存儲柵材料層形成存儲柵結構；在所述字線柵開口和所述源漏開口內形成初始字線柵結構；對所述初始字線柵結構進行第二圖形化處理，以去除所述源漏開口內的所述初始字線柵結構，在所述字線柵開口內形成字線柵結構。

可選的，所述存儲柵材料層包括浮柵材料層和位于所述浮柵材料層上的控制柵材料層；所述存儲柵結構包括浮柵和位于所述浮柵上的控制柵，以所述浮柵材料層形成所述浮柵，以所述控制柵材料層形成所述控制柵極。

可選的，對所述存儲柵材料層進行第一圖形化處理的方法包括：在所述存儲柵材料層表面形成第一圖形化層，所述第一圖形化層暴露出部分所述存儲柵材料層；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述控制柵材料層，在所述控制柵材料層內形成初始字線柵開口和兩個初始源漏開口，所述兩個初始源漏開口分別位于所述初始字線柵開口兩側，以所述初始字線柵開口和所述初始源漏開口之間的控制柵材料層形成控制柵；在所述控制柵側壁形成側墻；以所述側墻為掩膜，刻蝕所述浮柵材料層，形成所述浮柵，以所述初始字線柵開口形成所述字線柵開口，以所述初始源漏開口形成所述源漏開口。

可選的，所述存儲柵結構頂部表面還具有第一硬掩膜層；所述方法還包括：在進行第一圖形化處理之前，在所述存儲柵材料層表面形成硬掩膜材料層；所述硬掩膜材料層被刻蝕形成所述第一硬掩膜層。

可選的，所述存儲柵材料層還包括控制柵介質材料層，所述控制柵介質材料層位于浮柵材料層和所述控制柵材料層之間；所述方法包括：所述控制柵介質材料層被刻蝕形成控制柵介質層，所述存儲柵結構還包括所述控制柵介質層，所述控制柵介質層位于所述浮柵和所述控制柵之間。

可選的，在形成所述控制柵之后，且在形成所述控制柵介質層之前，形成所述側墻；所述側墻的形成方法包括：在所述控制柵側壁和所述控制柵介質材料層表面形成側墻材料層；回刻所述側墻材料層直到暴露出所述控制柵介質材料層，形成所述側墻。