[發(fā)明專利]閃存結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

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• 申請日: 2022-10-14
• 公開（公告）號: CN115425027A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳志濤;李志國;徐杰;劉志斌;孫崢
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李娟

1.一種閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成存儲柵材料層；

對所述存儲柵材料層進(jìn)行第一圖形化處理，在所述存儲柵材料層內(nèi)形成相互分立且暴露出所述襯底的字線柵開口和兩個源漏開口，所述兩個源漏開口分別位于所述字線柵開口兩側(cè)，以所述字線柵開口和所述源漏開口之間的存儲柵材料層形成存儲柵結(jié)構(gòu)；

在所述字線柵開口和所述源漏開口內(nèi)形成初始字線柵結(jié)構(gòu)；

對所述初始字線柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二圖形化處理，以去除所述源漏開口內(nèi)的所述初始字線柵結(jié)構(gòu)，在所述字線柵開口內(nèi)形成字線柵結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述存儲柵材料層包括浮柵材料層和位于所述浮柵材料層上的控制柵材料層；所述存儲柵結(jié)構(gòu)包括浮柵和位于所述浮柵上的控制柵，以所述浮柵材料層形成所述浮柵，以所述控制柵材料層形成所述控制柵極。

3.如權(quán)利要求2所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述存儲柵材料層進(jìn)行第一圖形化處理的方法包括：在所述存儲柵材料層表面形成第一圖形化層，所述第一圖形化層暴露出部分所述存儲柵材料層；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述控制柵材料層，在所述控制柵材料層內(nèi)形成初始字線柵開口和兩個初始源漏開口，所述兩個初始源漏開口分別位于所述初始字線柵開口兩側(cè)，以所述初始字線柵開口和所述初始源漏開口之間的控制柵材料層形成控制柵；在所述控制柵側(cè)壁形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述浮柵材料層，形成所述浮柵，以所述初始字線柵開口形成所述字線柵開口，以所述初始源漏開口形成所述源漏開口。

4.如權(quán)利要求3所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述存儲柵結(jié)構(gòu)頂部表面還具有第一硬掩膜層；所述方法還包括：在進(jìn)行第一圖形化處理之前，在所述存儲柵材料層表面形成硬掩膜材料層；所述硬掩膜材料層被刻蝕形成所述第一硬掩膜層。

5.如權(quán)利要求3所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述存儲柵材料層還包括控制柵介質(zhì)材料層，所述控制柵介質(zhì)材料層位于浮柵材料層和所述控制柵材料層之間；所述方法包括：所述控制柵介質(zhì)材料層被刻蝕形成控制柵介質(zhì)層，所述存儲柵結(jié)構(gòu)還包括所述控制柵介質(zhì)層，所述控制柵介質(zhì)層位于所述浮柵和所述控制柵之間。

6.如權(quán)利要求5所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述控制柵之后，且在形成所述控制柵介質(zhì)層之前，形成所述側(cè)墻；所述側(cè)墻的形成方法包括：在所述控制柵側(cè)壁和所述控制柵介質(zhì)材料層表面形成側(cè)墻材料層；回刻所述側(cè)墻材料層直到暴露出所述控制柵介質(zhì)材料層，形成所述側(cè)墻。

7.如權(quán)利要求3所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述存儲柵材料層還包括浮柵介質(zhì)材料層，所述浮柵介質(zhì)材料層位于所述襯底和所述浮柵材料層之間；所述方法包括：所述浮柵介質(zhì)材料層被刻蝕形成所述浮柵介質(zhì)層，所述存儲結(jié)構(gòu)還包括所述浮柵介質(zhì)層，所述浮柵介質(zhì)層位于所述浮柵和所述襯底之間。

8.如權(quán)利要求3所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料包括介質(zhì)材料，所述介質(zhì)材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求1所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述初始字線柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二圖形化處理包括：在所述初始字線柵結(jié)構(gòu)表面形成第二圖形化層，所述第二圖形化層暴露出所述源漏開口內(nèi)的所述初始字線柵結(jié)構(gòu)；以所述第二圖形化層為掩膜，刻蝕所述源漏開口內(nèi)的初始字線柵結(jié)構(gòu)，以去除所述源漏開口內(nèi)的初始字線柵結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述初始字線柵結(jié)構(gòu)包括初始字線柵；以所述初始字線柵形成字線柵，所述字線柵結(jié)構(gòu)包括所述字線柵。