[發明專利]STI空穴結構設計缺點的檢測方法在審
| 申請號： | 202211249416.8 | 申請日： | 2022-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN115527882A | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發明（設計）人： | 白杰;米琳;寧威;許雋 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 劉昌榮 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sti 空穴 結構設計 缺點 檢測 方法 | ||
1.一種STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于，至少包括：
步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成墊氧層以及形成與所述墊氧上的硬掩膜層，通過光刻、刻蝕形成貫通所述硬掩膜層、所述墊氧層、所述襯底的凹槽；
步驟二、在所述凹槽上形成線形氧化層；
步驟三、將所述襯底劃分為第一、二區域，利用第一光源照射所述第一區域中的所述線形氧化層，使得所述線形氧化層表面的氫鍵減少；利用第二光源照射所述第二區域中的所述線形氧化層表面，使得第二區域中所述線形氧化層層表面的氫鍵多于所述第一區域中的所述線性氧化層表面的氫鍵；
步驟四、通過淀積、研磨在每個所述凹槽中形成STI，之后去除所述硬掩膜層，其中部分所述STI中形成有空穴結構；
步驟五、獲取所述第一、二區域中的所述空穴結構的數據并分析設計缺點。
2.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟一中的所述襯底為硅襯底。
3.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟一中的所述硬掩膜層為氮化硅。
4.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟一中的所述墊氧層的材料為二氧化硅。
5.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟二中的所述線形氧化層的材料為二氧化硅。
6.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟三中將所述襯底劃分為第一至四象限，所述第一區域為所述第一、三象限的區域，所述第二區域為所述第二、四象限的區域。
7.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟三中的所述第一光源為紫外線，所述第二光源為非紫外線。
8.根據權利要求7所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟三中的所述紫外線的波長為260至320納米。
9.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟三中所述第一、二區域中的所述線形氧化層的照射時間不同。
10.根據權利要求1所述的STI空穴結構設計缺點的檢測方法，其特征在于：步驟四中通過高深寬比工藝形成所述STI。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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