[發明專利]一種半導體晶圓的制造方法

在審

• 申請號: 202211235192.5
• 申請日: 2022-10-10
• 公開（公告）號: CN115527873A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 張志勇
• 申請（專利權）人: 南通燦銓半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種半導體晶圓的制造方法。制造方法為：在半導體晶圓表面覆蓋保護層，并通過烘烤方式將保護層固化；自半導體晶棒切割出多個晶圓：切割前，先在晶圓的待加工表面進行預處理形成加工軌跡，加工軌跡未及晶圓的邊緣，然后進行切割加工；以濕蝕刻去除切割殘余物；倒角及研磨步驟；將保護層去除。本發明的有益效果是：在切割前，先覆蓋保護層，再進行預處理形成加工軌跡，保護層可對非切割區域進行保護，防止對晶圓造成破壞，按照加工軌跡進行切割，切割效率高且精度高，不會在后續的背面的刻蝕過程中，對正面圖形進行二次腐蝕，加工精度更高，確保成品率。

技術領域

本發明涉及半導體加工領域，具體涉及一種半導體晶圓的制造方法。

背景技術

硅晶圓等的半導體晶圓的制造是自切割硅晶棒制作晶圓開始，實施晶圓的倒角、拋光、蝕刻、研磨以及洗凈等的各個步驟而進行。將半導體晶圓切割成為個別的組件芯片或晶粒，是制作半導體組件或集成電路一道不可或缺的步驟，也是最后的制程步驟之一。

現有技術中，大尺寸的晶圓通常是利用鉆石刀以機械方式切割出個別晶粒。然而，機械切割過程非常耗時，而且機械式切割也容易對于非常薄的晶圓造成破壞；也有的采用光刻技術開出窗口，并在真空系統中進行蒸發或濺射以淀積金屬，金屬圖形由另一步光刻確定，但是在后續的背面的刻蝕過程中，刻蝕液會對正面圖形進行二次腐蝕，從而影響正面二極管芯片的性能，進而影響成品率。需要提供一種半導體晶圓的制造方法，以解決以上問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體晶圓的制造方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：包括以下步驟：

步驟1：在半導體晶圓表面覆蓋保護層，所述保護層為光阻層，以往復涂布方式將光阻層覆蓋于半導體晶圓表面，并通過烘烤方式將光阻層固化；

步驟2：自半導體晶棒切割出多個晶圓：切割前，先在晶圓的待加工表面進行預處理形成加工軌跡，加工軌跡未及晶圓的邊緣，然后進行切割加工；

步驟3：以濕蝕刻去除切割殘余物；

步驟4：倒角及研磨步驟，將經切割出的該多個晶圓的外周部予以倒角，倒角后對晶圓的雙面予以研磨；

步驟5：將保護層去除：以含硼酸鉀與氫氧化鉀的水溶液去除光阻層保護層。

優選的，所述步驟2中，所述預處理為光刻工藝，加工軌跡為劃片槽；

所述加工軌跡和所述晶圓邊緣之間的最大距離小于一個半導體芯粒的尺寸，所述半導體芯粒為所述晶圓加工出的芯粒；所述加工軌跡和所述晶圓邊緣之間的區域為隔離區，所述隔離區尺寸為芯粒尺寸的1/4-1/3。

優選的，所述步驟3中，去除切割殘余物的蝕刻溶液為硫酸與過氧化氫的水溶液。

優選的，所述步驟1中，烘烤光阻層的溫度為50-75℃。

優選的，所述步驟2中，在沉積金屬層并經退火處理后的晶圓表面涂覆光刻膠，用光刻版進行光刻、顯影、刻蝕形成加工軌跡。

優選的，所述步驟1中，所述保護層為二氧化硅層。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：在切割前，先覆蓋保護層，再進行預處理形成加工軌跡，保護層可對非切割區域進行保護，防止對晶圓造成破壞，按照加工軌跡進行切割，切割效率高且精度高，不會在后續的背面的刻蝕過程中，對正面圖形進行二次腐蝕，確保成品率；

以濕蝕刻去除切割殘余物，清除效率高也清除效果更佳；

在倒角及研磨步驟后再去除保護層，可確保研磨及倒角時不會對晶圓其它區域造成破壞，加工精度更高。

具體實施方式