[發明專利]一種半導體晶圓的制造方法

在審

• 申請號: 202211235192.5
• 申請日: 2022-10-10
• 公開（公告）號: CN115527873A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 張志勇
• 申請（專利權）人: 南通燦銓半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：在半導體晶圓表面覆蓋保護層，所述保護層為光阻層，以往復涂布方式將光阻層覆蓋于半導體晶圓表面，并通過烘烤方式將光阻層固化；

步驟2：自半導體晶棒切割出多個晶圓：切割前，先在晶圓的待加工表面進行預處理形成加工軌跡，加工軌跡未及晶圓的邊緣，然后進行切割加工；

步驟3：以濕蝕刻去除切割殘余物；

步驟4：倒角及研磨步驟，將經切割出的該多個晶圓的外周部予以倒角，倒角后對晶圓的雙面予以研磨；

步驟5：將保護層去除：以含硼酸鉀與氫氧化鉀的水溶液去除光阻層保護層。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：所述步驟2中，所述預處理為光刻工藝，加工軌跡為劃片槽；

所述加工軌跡和所述晶圓邊緣之間的最大距離小于一個半導體芯粒的尺寸，所述半導體芯粒為所述晶圓加工出的芯粒；所述加工軌跡和所述晶圓邊緣之間的區域為隔離區，所述隔離區尺寸為芯粒尺寸的1/4-1/3。

3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：所述步驟3中，去除切割殘余物的蝕刻溶液為硫酸與過氧化氫的水溶液。

4.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：所述步驟1中，烘烤光阻層的溫度為50-75℃。

5.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：所述步驟2中，在沉積金屬層并經退火處理后的晶圓表面涂覆光刻膠，用光刻版進行光刻、顯影、刻蝕形成加工軌跡。

6.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的制造方法，其特征在于：所述步驟1中，所述保護層為二氧化硅層。