[發(fā)明專利]一種無芯基板及其制作方法以及半導體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211228747.3 | 申請日： | 2022-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN115767893A | 公開（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳先明;徐小偉;黃高;黃本霞;洪業(yè)杰;張東鋒 | 申請（專利權）人： | 珠海越亞半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 葉恩華 |
| 地址： | 519000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無芯基板 及其 制作方法 以及 半導體 | ||
1.一種無芯基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
準備一臨時基板；所述臨時基板至少包括第一金屬層以及第二金屬層；所述第一金屬層與第二金屬層沿著垂直于臨時基板方向壓合成型；
在所述第一金屬層的上制作導通銅柱；
在所述導通銅柱上壓合第一絕緣層，使所述第一絕緣層的厚度大于所述導通銅柱的高度；所述第一絕緣層包括玻纖材料；
削減所述第一絕緣層的厚度，使所述導通銅柱的高度大于所述第一絕緣層的厚度；
在所述導通銅柱上壓合第二絕緣層；使所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層的厚度總和大于所述導通銅柱的高度；所述第二絕緣層包括無玻纖材料；
削減所述第二絕緣層的厚度，使所述導通銅柱的高度大于等于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的厚度總和；
在所述第二絕緣層上制作金屬種子層；
去除所述第二金屬層，以所述金屬種子層以及所述第一金屬層為基材，制作線路層。
2.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層的上表面制作導通銅柱這一步驟，具體包括：
在所述第一金屬層的上表面施加光阻材料；
所述光阻材料進行曝光顯影，形成銅柱開口；
在所述銅柱開口進行圖形電鍍并去除所述光阻材料，得到導通銅柱。
3.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述削減所述第一絕緣層的厚度，使所述導通銅柱的高度大于所述第一絕緣層的厚度；這一步驟，具體包括：
對所述第一絕緣層進行機械研磨，使所述導通銅柱的高度等于所述第一絕緣層的厚度；對所述第一絕緣層進行二次減薄，使所述導通銅柱的高度大于所述第一絕緣層的厚度。
4.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述無玻纖材料包括樹脂或者ABF。
5.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述去除所述第二金屬層，以所述金屬種子層以及所述第一金屬層為基材，制作線路層這一步驟，具體包括：
在金屬種子層外露的表面以及第一金屬層的外露的表面施加光阻材料；
對所述光阻材料進行曝光以及顯影，形成線路開口；
在所述線路開口進行圖形電鍍并去除所述光阻材料，形成線路層。
6.根據(jù)權利要求2所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層上表面施加光阻材料這一步驟，具體包括：
通過貼膜工藝或者涂覆工藝，在所述第一金屬層上表面施加光阻材料。
7.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，還包括在所述線路層上形成阻焊層。
8.根據(jù)權利要求1所述一種無芯基板制作方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度包括3-5um。
9.一種無芯基板，其特征在于，通過如權利要求1-8任一項所述的一種無芯基板制作方法制作得到。
10.一種半導體，其特征在于，包括一個或者多個如權利要求9所述的一種無芯基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于珠海越亞半導體股份有限公司，未經(jīng)珠海越亞半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211228747.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
