[發明專利]器件鍍膜方法、鍍膜軌道以及器件鍍膜機構

在審

• 申請號: 202211227418.7
• 申請日: 2022-10-09
• 公開（公告）號: CN115652273A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 邢發軍;郟曉彤
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 朱林軍

本申請公開了器件鍍膜方法、鍍膜軌道以及器件鍍膜機構，其中，器件鍍膜方法包括：提供載具，將待鍍膜器件設置在載具上；提供鍍膜軌道和托盤，鍍膜軌道具有相互對接的第一段坡道和第二段坡道，第一段坡道和第二段坡道均具有高端和低端，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端對接；將載具安裝在托盤上，采用物理氣相沉積方式進行鍍膜，鍍膜軌道的第一段坡道和第二段坡道的對接處位于鍍膜源下方，鍍膜時，托盤帶動載具往復移動，在待鍍膜器件的正面和側面形成鍍膜層。本申請載具在第一段坡道和第二段坡道往復移動時，器件側面由豎直變為與豎直成一定角度，接受自上而下沉積的鍍膜原子的概率增加，能夠有效降低器件側面和正面之間的鍍膜厚度差。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，具體涉及器件鍍膜方法、鍍膜軌道以及器件鍍膜機構。

背景技術

器件需要表面金屬化來達到電磁屏蔽等功能，常規通過PVD濺射鍍膜工藝實現，使濺射原子沉積到器件表面及四周側壁。

如圖1和圖2所示，傳統鍍膜工藝如下：

1.將雙面膠層4一面平貼在載具1上，將待鍍膜器件2貼在雙面膠層4的另一面上，待鍍膜器件2的其中兩個側壁與載具1的移動方向平行；

2.采用物理氣相沉積方法進行鍍膜作業，將載具1固定在托盤5上，鍍膜過程中，托盤5沿鍍膜軌道3方向往復移動，帶動載具1在鍍膜源6下方前后震蕩(沿X方向)，保證鍍膜過程的一致性。

傳統鍍膜方法的缺點為：鍍膜原子61靠重力作用沉積到器件表面，載具1在濺鍍腔體內沿鍍膜軌道3做一維水平往復運動，運動方向與鍍膜原子61的沉積方向垂直，器件側面接收到的鍍膜原子61概率較正面低得多，為了保證器件表面屏蔽效能，保證側面最薄鍍膜厚度，需要消耗更多的時間及鍍膜材料，造成鍍膜效率低及材料浪費。

發明內容

本發明針對上述問題，提出了器件鍍膜方法、鍍膜軌道以及器件鍍膜機構。

本發明采取的技術方案如下：

一種器件鍍膜方法，包括：

提供載具，將待鍍膜器件設置在所述載具上；

提供鍍膜軌道和托盤，所述鍍膜軌道具有相互對接的第一段坡道和第二段坡道，第一段坡道和第二段坡道均具有高端和低端，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端對接，所述托盤與鍍膜軌道配合，能夠在鍍膜軌道上往復移動；

將設置有待鍍膜器件的載具安裝在托盤上，采用物理氣相沉積方式進行鍍膜，鍍膜軌道的第一段坡道和第二段坡道的對接處位于鍍膜源下方，鍍膜時，托盤帶動載具往復移動，在待鍍膜器件的正面和側面形成鍍膜層。

本申請鍍膜軌道的第一段坡道和第二段坡道的對接處為鍍膜軌道的高點，這樣設計后，載具在第一段坡道和第二段坡道往復移動時，器件側面由豎直變為與豎直成一定角度，接受自上而下沉積的鍍膜原子的概率增加，鍍膜時能夠有效降低器件側面和正面之間的鍍膜厚度差。

本申請中，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端對接可以是直接接觸，也可以是不接觸，比如當鍍膜軌道包括多個滾輪時，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端可以不接觸。

實際運用時，本申請的鍍膜軌道可以為現有的多種形式的軌道。

于本發明其中一實施例中，所述第一段坡道和第二段坡道均傾斜設置，且相對于水平面的傾斜角度相同；所述第一段坡道和第二段坡道所呈角度a大于等于120°且小于180°。

傳統鍍膜工藝中，待鍍膜器件的其中兩個側壁與載具的移動方向平行，導致器件在運動方向上的兩個側面的鍍膜厚度較與載具的移動方向平行的兩個側面鍍膜厚度大，四個側面鍍層厚度一致性差，同理，為了保證器件表面屏蔽效能，保證側面最薄鍍膜厚度達標，需要消耗更多的時間及鍍膜材料，造成鍍膜效率低及材料浪費。于本發明其中一實施例中，所述待鍍膜器件擺放方向與載具運動方向所呈角度b大于等于30°且小于等于60°。