[發明專利]正裝MOS芯片及隔離耐壓球焊芯片堆疊結構的制備方法在審
| 申請號： | 202211225712.4 | 申請日： | 2022-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN115410928A | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發明（設計）人： | 殷炯;田立方;李世平 | 申請（專利權）人： | 江蘇華創微系統有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京擎天知識產權代理事務所(普通合伙) 32465 | 代理人： | 涂春春 |
| 地址： | 211899 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 芯片 隔離 耐壓 球焊 堆疊 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種正裝MOS芯片及隔離耐壓球焊芯片堆疊結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1、采用框架材料制備基板層；
S2、在基板層的基島（1）的正面基島上正裝MOS功率芯片（3）；
S3、安裝金屬片（4），對芯片功能進行輸出；
S4、對安裝隔離耐壓球焊芯片（5）的位置處進行點底填膠（6）；
S5、隔離耐壓球焊芯片（5）安裝在點底填膠（6）的位置處，底填膠（6）隔離開金屬片（4）與隔離耐壓球焊芯片（5）；
S6、隔離耐壓球焊芯片（5）與金屬片（4）之間焊線進行電氣連接；
S7、塑封料（7）包覆所述正裝MOS芯片及隔離耐壓球焊芯片堆疊結構。
2.根據權利要求1所述的一種倒裝芯片與底層芯片的堆疊結構，其特征在于：金屬片（4）的兩端之間存在高度差，金屬片（4）的低端設置在基板層的功能管腳（2）上，金屬片（4）的高端與MOS功率芯片（3）的銅柱（31）連接。
3.根據權利要求2所述的一種倒裝芯片與底層芯片的堆疊結構，其特征在于：S3中金屬片（4）用錫膏貼裝在功能管腳（2）和MOS功率芯片（3）的銅柱（31）上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
