[發明專利]半導體工藝腔室的清洗方法

在審

• 申請號: 202211213837.5
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115382855A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 林源為
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 劉亞岐

本申請公開一種半導體工藝腔室的清洗方法，所述半導體工藝腔室用于執行晶圓的加工工藝，屬于半導體設備技術領域。該清洗方法包括：當前工藝周期內所述工藝腔室在執行完當前所述晶圓的加工工藝之后，對所述工藝腔室執行片后干洗工藝；直至已執行加工工藝的所述晶圓的第一總數量大于或者等于第一預設值時，對所述工藝腔室執行片后遠程等離子體清洗工藝。該方案能夠解決目前工藝腔室的產能較低的問題。

技術領域

本申請屬于半導體加工技術領域，具體涉及一種半導體工藝腔室的清洗方法。

背景技術

在半導體制造工業領域，晶圓加工工藝過程中會產生副產物顆粒，該顆粒將沉積在工藝腔室的內壁上污染腔室環境，尤其在化學氣相沉積工藝中，由于其沉積的臺階覆蓋率高于物理氣相沉積，因此，對于化學氣相沉積的副產物的清除是行業內關注的重要問題。

由于沉積的副產物的量較大，很難徹底清除，并且原位干洗不能去除等離子體接觸不到的區域，而等離子體中的離子成分引起的充放電和物理轟擊作用又容易對工藝腔室的硬件造成一定程度的損傷。因此，通常采用RPS(Remote plasma system，遠程等離子體系統)對工藝腔室進行清洗，而RPS基于電感應耦合等離子體原理工作，氣體分子的離化率較高，分子也能夠被分裂的較徹底，其可以離化超過95％的反應氣體，能夠更加快速、高效和徹底的清洗工藝腔室；并且，由于RPS的遠程輸送作用，可以輸送氣體至工藝腔室中原本不能接觸的區域進行清洗，且輸送過程中湮滅了等離子體中的離子成分，也不會對工藝腔室產生損傷。然而，由于RPS啟動較慢，且RPS清洗后對工藝腔室進行預沉積的時間較長，因此頻繁進行RPS清洗將導致晶圓的產能較低。

發明內容

本申請實施例的目的是提供一種半導體工藝腔室的清洗方法，該半導體工藝腔室用于執行晶圓的加工工藝，能夠解決目前工藝腔室的產能較低的問題。

為了解決上述技術問題，本申請是這樣實現的：

本申請實施例提供了一種半導體加工工藝，應用于半導體工藝設備，所述半導體工藝設備包括工藝腔室，所述加工工藝包括：

當前工藝周期內所述工藝腔室在執行完當前所述晶圓的加工工藝之后，對所述工藝腔室執行片后干洗工藝；

直至已執行加工工藝的所述晶圓的第一總數量大于或者等于第一預設值時，對所述工藝腔室執行片后遠程等離子體清洗工藝。

在本申請實施例中，當需要進行加工工藝的晶圓的數量較多時，將多個晶圓劃分為多個工藝周期進行加工，在其中一個工藝周期內，對每一片晶圓執行加工工藝后對工藝腔室執行片后干洗工藝，直至已執行加工工藝的晶圓的第一總數量大于或等于第一預設值時，對工藝腔室執行片后遠程等離子體清洗工藝，從而高效、徹底地清除工藝腔室內的沉積物，也就是說，在一個工藝周期內，對每一片晶圓執行完加工工藝后需對工藝腔室進行片后干洗工藝，在當前工藝周期所對應的所有晶圓都加工完成后，對工藝腔室進行高效、徹底的片后遠程等離子體清洗工藝，從而減少片后遠程等離子體清洗的次數，進而提高晶圓生產效率。

附圖說明

圖1至圖2為本申請實施例公開的半導體工藝腔室的清洗方法的流程示意圖；

圖3為本申請實施例公開的半導體工藝設備和遠程等離子體系統的裝配結構示意圖。

附圖標記說明：

110-工藝腔室、111-中心進氣孔、112-邊緣進氣孔、120-靜電卡盤、130-射頻線圈、140-下電極、150-直流吸附電源、160-第二射頻電源、170-第二射頻匹配器、180-真空泵；

200-遠程等離子體系統；

300-第一射頻電源；

400-第一射頻匹配器。

具體實施方式