[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝腔室的清洗方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211213837.5
• 申請(qǐng)日: 2022-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN115382855A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林源為
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): B08B7/00
• 分類號(hào): B08B7/00
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 劉亞岐

1.一種半導(dǎo)體工藝腔室的清洗方法，所述半導(dǎo)體工藝腔室用于執(zhí)行晶圓的加工工藝，其特征在于，包括：

當(dāng)前工藝周期內(nèi)所述工藝腔室在執(zhí)行完當(dāng)前所述晶圓的加工工藝之后，對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后干洗工藝；

直至已執(zhí)行加工工藝的所述晶圓的第一總數(shù)量大于或者等于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所有工藝周期內(nèi)已執(zhí)行加工工藝的所述晶圓的總數(shù)量為第二總數(shù)量，所述方法還包括：

在所述工藝腔室執(zhí)行加工工藝之前，將所述第一總數(shù)量的初始值設(shè)為1，將所述第二總數(shù)量的初始值設(shè)為0；

當(dāng)所述第一總數(shù)量小于所述第一預(yù)設(shè)值時(shí)，判斷所述第二總數(shù)量是否小于第二預(yù)設(shè)值；

當(dāng)所述第二總數(shù)量小于所述第二預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述第一總數(shù)量遞增1，所述工藝腔室對(duì)當(dāng)前工藝周期內(nèi)的下一所述晶圓執(zhí)行加工工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝的步驟之后，還包括：

將前一所述工藝周期的所述第二總數(shù)量與當(dāng)前所述工藝周期的所述第一總數(shù)量之和賦值給所述第二總數(shù)量；

判斷所述第二總數(shù)量是否小于所述第二預(yù)設(shè)值；

當(dāng)所述第二總數(shù)量小于所述第二預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述第一總數(shù)量設(shè)為1，所述半導(dǎo)體工藝腔室對(duì)下一工藝周期內(nèi)的所述晶圓執(zhí)行加工工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于，還包括：

當(dāng)所述第二總數(shù)量等于所述第二預(yù)設(shè)值時(shí)，對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，還包括：

在對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片前遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝之后，且在所述工藝腔室執(zhí)行當(dāng)前工藝周期的加工工藝之前，對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行周期前預(yù)沉積工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后干洗工藝的步驟，具體包括：

對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行第一輔助清洗工藝；

對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行片后預(yù)沉積工藝；

對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行第二輔助清洗工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，經(jīng)所述周期前預(yù)沉積工藝得到的膜以及經(jīng)所述片后預(yù)沉積工藝得到的膜均與所述晶圓上經(jīng)加工工藝所得到的膜類型相同，所述片后預(yù)沉積工藝的工藝時(shí)間比所述周期前預(yù)沉積工藝的工藝時(shí)間短。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行第一輔助清洗工藝，具體包括：

對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行第一清洗步驟，所述第一清洗步驟所采用的工藝氣體包括NF₃和氧氣；

對(duì)所述工藝腔室執(zhí)行第二清洗步驟，以去除所述工藝腔室內(nèi)經(jīng)所述第一清洗步驟后殘留的NF₃，所述第二清洗步驟所采用的工藝氣體包括氧氣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗方法，其特征在于，當(dāng)所述工藝腔室內(nèi)的沉積物含有氧化硅時(shí)，所述第一清洗步驟所采用的工藝氣體還包括氮?dú)狻?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述片前遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝、所述片后遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝、所述周期前預(yù)沉積工藝、所述第一輔助清洗工藝、所述第二輔助清洗工藝和所述片后預(yù)沉積工藝均采用相等的工作頻率。