[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 202211209927.7
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115528151A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 樊本杰;楊鴻志;鄧順達
• 申請（專利權）人: 開發晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 謝清萍;武玉琴

本申請公開一種用于植物照明的發光二極管，所述發光二極管具有多重量子阱結構，以產生具有一寬波段藍紫光光譜的一光束，所述藍紫光光譜在410nm～450nm范圍內具有第一波峰和第二波峰，所述第二波峰的波長值大于所述第一波峰的波長值，且所述第二波峰的波長值與所述第一波峰的波長值之差介于5nm～30nm。通過前述技術手段，發光二極管所產生的寬波段藍紫光光譜可以更好的與植物光合吸收光譜相匹配。

技術領域

本申請涉及一種發光二極管，特別是涉及一種用以產生匹配植物光合吸收光譜的多峰寬頻帶藍紫光光譜的發光二極管。

背景技術

在現有的植物照明技術中，多利用人工光環境代替陽光，來保證植物的健康生長。相比自然光，采用植物照明光源的優勢在于可控性，體現在兩個方面，其一為環境可控性，惡劣天氣不會有任何影響，同時還可以在樓房里種菜，節省了土地面積；其二為品質可控性，可以針對植物不同發育階段，設計植物的光配方，更高效的培育植物，提供足夠的“光肥”。

因此，如何通過發光二極管精確控制光譜中的特殊波段，來促進植物對于光能量的吸收，仍為本領域技術人員努力之方向。

發明內容

本申請所要解決的技術問題在于提供一種可產生匹配植物光合吸收光譜的多峰寬頻帶藍紫光光譜的發光二極管。

為了解決上述的技術問題，本申請所采用的其中一技術方案是，提供一種用于植物照明的發光二極管，所述發光二極管具有多重量子阱結構，以產生具有一寬波段藍紫光光譜的一光束，所述藍紫光光譜在410nm～450nm范圍內具有第一波峰和第二波峰，所述第二波峰的波長值大于所述第一波峰的波長值，且所述第二波峰的波長值與所述第一波峰的波長值之差介于5nm～30nm。

在一些實施例中，所述發光二極管所發出的所述光束在操作電流密度60mA/mm²及120mA/mm²下，在藍紫光波段范圍中都具有大于2.0μmol/j的光合光子功效(PPE)。

在一些實施例中，所述第一波峰的強度與所述第二波峰的強度比值介于40％～150％之間。

在一些實施例中，所述寬波段藍紫光光譜在430nm～480nm范圍內還具有一第二肩峰，所述第二肩峰的波長值大于所述第二波峰的波長值，且所述第二肩峰的波長值與所述第二波峰的波長值之差介于5～30nm；其中所述第二肩峰的強度與所述第二波峰的強度比值大于20％而小于100％。

在一些實施例中，所述寬波段藍紫光光譜在380nm～420nm范圍內還具有一第一肩峰，所述第一肩峰的波長值小于所述第一波峰的波長值，且所述第一肩峰的波長值與所述第一波峰的波長值之差介于0～20nm；其中所述第一肩峰的強度與所述第一波峰的強度比值大于10％而小于100％。

在一些實施例中，所述多重量子阱結構包括m個阱層和m+1個勢壘層交替層疊，設置于一P型半導體層和一N型半導體層之間，且所述多重量子阱結構包括銦濃度介于0.07～0.12的多個第二阱層和銦濃度介于0.11～0.16的多個第三阱層，其中所述第三阱層的銦濃度大于所述第二阱層的銦濃度，且其差值介于0.01-0.07之間。

在一些實施例中，所述多重量子阱結構還包括銦濃度介于0.12～0.20的至少一個第四阱層，其中所述第四阱層的銦濃度大于所述第三阱層的銦濃度，且其差值介于0.01-0.05間，所述多重量子阱結構還包括銦濃度介于0.03～0.11的至少一個第一阱層，其中所述第一阱層的銦濃度小于所述第二阱層的銦濃度，且其差值大于0小于0.1。

在一些實施例中，最靠近所述P型半導體層的至少前一層所述阱層為所述第一阱層，位于所述多重量子阱結構中央且靠近所述P型半導體層的至少二層所述阱層為所述第二阱層，位于所述發光疊層中央且靠近所述N型半導體層的至少二層所述阱層為所述第三阱層，且最靠近所述N型半導體層的所至少前一層所述阱層為所述第四阱層。