[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 202211209927.7
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115528151A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 樊本杰;楊鴻志;鄧順達
• 申請（專利權）人: 開發晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 謝清萍;武玉琴

1.一種用于植物照明的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管具有多重量子阱結構，以產生具有一寬波段藍紫光光譜的一光束，所述藍紫光光譜在410nm～450nm范圍內具有第一波峰和第二波峰，所述第二波峰的波長值大于所述第一波峰的波長值，且所述第二波峰的波長值與所述第一波峰的波長值之差介于5nm～30nm。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管所發出的所述光束在操作電流密度60mA/mm²及120mA/mm²下，在藍紫光波段范圍中都具有大于2.0μmol/j的光合光子功效(PPE)。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一波峰的強度與所述第二波峰的強度比值介于40％～150％之間。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述寬波段藍紫光光譜在430nm～480nm范圍內還具有一第二肩峰，所述第二肩峰的波長值大于所述第二波峰的波長值，且所述第二肩峰的波長值與所述第二波峰的波長值之差介于5～30nm；其中所述第二肩峰的強度與所述第二波峰的強度比值大于20％而小于100％。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述寬波段藍紫光光譜在380nm～420nm范圍內還具有一第一肩峰，所述第一肩峰的波長值小于所述第一波峰的波長值，且所述第一肩峰的波長值與所述第一波峰的波長值之差介于0～20nm；其中所述第一肩峰的強度與所述第一波峰的強度比值大于10％而小于100％。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述多重量子阱結構包括m個阱層和m+1個勢壘層交替層疊，設置于一P型半導體層和一N型半導體層之間，且所述多重量子阱結構包括銦濃度介于0.07～0.12的多個第二阱層和銦濃度介于0.11～0.16的多個第三阱層，其中所述第三阱層的銦濃度大于所述第二阱層的銦濃度，且其差值介于0.01-0.07之間。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述多重量子阱結構還包括銦濃度介于0.12～0.20的至少一個第四阱層，其中所述第四阱層的銦濃度大于所述第三阱層的銦濃度，且其差值介于0.01-0.05間，所述多重量子阱結構還包括銦濃度介于0.03～0.11的至少一個第一阱層，其中所述第一阱層的銦濃度小于所述第二阱層的銦濃度，且其差值大于0小于0.1。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，最靠近所述P型半導體層的至少前一層所述阱層為所述第一阱層，位于所述多重量子阱結構中央且靠近所述P型半導體層的至少二層所述阱層為所述第二阱層，位于所述發光疊層中央且靠近所述N型半導體層的至少二層所述阱層為所述第三阱層，且最靠近所述N型半導體層的所至少前一層所述阱層為所述第四阱層。

9.根據權利要8所述的發光二極管，其特征在于，其中一個所述第二阱層位于其中二個所述第三阱層之間。

10.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述多重量子阱結構還包括多個勢壘層，與多個阱層交替設置，其中至少一個勢壘層的材質包括氮化鋁鎵。