[發明專利]化學鍍金浴

在審

• 申請號: 202211209004.1
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115961273A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 田中小百合;前川拓摩;田邉克久;柴山文德
• 申請（專利權）人: 上村工業株式會社
• 主分類號: C23C18/44
• 分類號: C23C18/44
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李雪;姚開麗

本發明公開了一種化學鍍金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一種方法中，能夠以一道工序來形成均勻的具有充分厚度的鍍金膜。化學鍍金浴含有亞硫酸金鹽、硫代硫酸鹽、抗壞血酸類、肼類，肼類為從己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、單鹽酸肼、二鹽酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、間苯二甲酸二酰肼、水楊酸酰肼、3－氫－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼單鹽酸鹽、甲基肼硫酸鹽以及異丙基肼鹽酸鹽等所構成的組中選擇的至少一種。

技術領域

本發明涉及一種化學鍍金浴。

背景技術

金具有僅次于銀、銅的高電導率，熱壓合的連接性等物理性質優異，并且耐氧化性、耐化學性等化學性質也優異。因此，在電子工業領域，用金進行的鍍金被作為印刷線路板的電路、IC封裝體的安裝部分或端子部分等的最終表面處理法而廣泛使用。近年來，伴隨著電子部件的小型化、高密度化，較適宜使用不需要導線而功能性等優異的化學鍍覆法。

作為該化學鍍覆法，例如使用化學鍍鎳浸金法(Electroless?Nickel?ImmersionGold：ENIG)。通過使用該ENIG法能夠得到依次鍍上了化學鍍鎳膜、置換鍍金膜的鍍膜。例如，還使用化學鍍鎳鈀浸金法(Electroless?Nickel?Electroless?Palladium?ImmersionGold：ENEPIG)。通過使用該ENEPIG法能夠得到依次鍍上了化學鍍鎳膜、化學鍍鈀膜以及置換鍍金膜的鍍膜。

作為在這些化學鍍覆法中使用的還原置換型化學鍍金浴，例如有人提出以下化學鍍金浴。該化學鍍金浴含有水溶性金化合物、絡合劑和還原劑，作為穩定劑添加了聚乙烯醇和/或聚乙烯吡咯烷酮。并且，通過使用如此的構成，能夠僅在金屬部分形成良好的鍍金膜，適合用于陶瓷IC或封裝體等的鍍金處理(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本專利公報專利第2927142號

發明內容

－發明要解決的技術問題－

此處，在上述現有化學鍍金浴中，由于金難以在鍍鈀膜上析出，因此存在以下問題：在微小的端子部分等，鍍金膜的形成不充分，難以形成均勻的鍍金膜。

為了在鍍鎳膜上形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的鍍金膜，需要在對被鍍覆物上形成置換鍍金膜后，再使用上述化學鍍金浴來形成化學鍍金膜，因此存在需要兩道工序的問題。

于是，鑒于上述問題，本發明的目的在于：提供一種化學鍍金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一種方法中，都能夠用一道工序來形成均勻的具有充分厚度的鍍金膜。

－用于解決技術問題的技術方案－

為達成上述目的，本發明所涉及的化學鍍金浴含有亞硫酸金鹽、硫代硫酸鹽、抗壞血酸類、肼類，其特征在于：肼類為從己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、單鹽酸肼、二鹽酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、間苯二甲酸二酰肼、水楊酸酰肼、3－氫－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼單鹽酸鹽、甲基肼硫酸鹽、異丙基肼鹽酸鹽、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羥乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所構成的組中選擇的至少一種。

－發明的效果－

根據本發明，能夠提供一種化學鍍金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一種方法中，都能夠用一道工序來形成均勻的具有充分厚度的鍍金膜。

具體實施方式

以下，說明本發明的化學鍍金浴。

＜化學鍍金浴＞

本發明的化學鍍金浴是一種含有金供給源即亞硫酸金鹽、絡合劑即硫代硫酸鹽、還原劑即抗壞血酸類以及還原劑即肼類的化學鍍金浴。

(亞硫酸金鹽)