[發明專利]檢測器模塊、X射線計算機斷層攝影裝置及X射線檢測裝置

在審

• 申請號: 202211208483.5
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115919343A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 西島輝
• 申請（專利權）人: 佳能醫療系統株式會社
• 主分類號: A61B6/03
• 分類號: A61B6/03;A61B6/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

本發明的技術問題在于抑制電弧放電的發生。實施方式的檢測器模塊具備：直接變換型的半導體晶體；第一電極，設置于所述半導體晶體的放射線射入面側；以及多個第二電極，隔著所述半導體晶體而與所述第一電極對置設置，所述第一電極具有第一部分電極和第二部分電極，該第一部分電極和第二部分電極相互獨立地被施加高電壓且至少在通道方向上被分割而成。

相關申請的交叉引用

本申請基于并主張2021年10月5日申請的日本國專利申請2021-164178的優先權的利益，上述日本國專利申請的全部內容被引用于本申請。

技術領域

本發明的實施方式涉及檢測器模塊、X射線計算機斷層攝影裝置及X射線檢測裝置。

背景技術

在直接變換型的半導體晶體的X射線射入面側粘貼有高電壓電極，隔著半導體晶體在高電壓電極的相反側粘貼有像素電極。對高電壓電極施加高電壓。高電壓電極為了提高對半導體晶體的電流供給能力且容易向半導體晶體貼合，而在列方向上被分割。

當X射線射入到半導體晶體時，在半導體晶體中生成與射入X射線的通量對應的量的電荷。當大通量的X射線瞬間射入到半導體晶體而生成超過由高電壓電極對半導體晶體的電流的供給能力的量的電荷時，向高電壓電極施加的電壓下降。若發生電壓下降，則有可能在相鄰的高電壓電極間產生電弧放電。若發生電弧放電，則高電壓電極有可能發生故障。

[現有技術文獻]

[專利文獻1]日本特開2009-18154號公報

[專利文獻2]日本特開2003-279653號公報

[專利文獻3]日本特表2009-530792號公報

發明內容

本說明書及附圖中公開的實施方式要解決的技術問題之一在于，抑制電弧放電的發生。但是，本說明書及附圖中公開的實施方式要解決的技術問題不限于上述技術問題。也能夠將與后述的實施方式所示的各結構所帶來的各效果對應的技術問題定位為其他技術問題。

實施方式的檢測器模塊具備：直接變換型的半導體晶體；第一電極，設置于所述半導體晶體的放射線射入面側；以及多個第二電極，隔著所述半導體晶體而與所述第一電極對置設置，所述第一電極具有第一部分電極和第二部分電極，該第一部分電極和第二部分電極相互獨立地被施加高電壓、且至少在通道方向上被分割而成。

[發明效果]

發明的目的在于抑制電弧放電的發生。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的X射線計算機斷層攝影裝置的結構例的圖。

圖2是表示X射線檢測裝置的概略結構的立體圖。

圖3是表示檢測器模塊的概略結構的立體圖。

圖4是圖3所示的X射線檢測層的俯視圖。

圖5是圖3所示的X射線檢測層的剖視圖。

圖6是表示高電壓電極的電力控制系統的結構例的圖。

圖7是示意性地表示大通量X射線射入到具有在列方向上被分割的高電壓電極的X射線檢測層上的電壓的變化的圖。

圖8是示意性地表示大通量X射線射入到具有在通道方向上被分割的高電壓電極的X射線檢測層上的電壓的變化的圖。

圖9是表示具有被分割成方格花紋狀的高電壓電極的X射線檢測層的一例的圖。

圖10是表示第二實施方式的實施例1的高電壓電極的電力控制系統的結構例的圖。

圖11是表示實施例1的基于電壓監視的高電壓控制例的圖。