[發明專利]檢測器模塊、X射線計算機斷層攝影裝置及X射線檢測裝置

在審

• 申請號: 202211208483.5
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115919343A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 西島輝
• 申請（專利權）人: 佳能醫療系統株式會社
• 主分類號: A61B6/03
• 分類號: A61B6/03;A61B6/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種檢測器模塊，具備：

直接變換型的半導體晶體；

第一電極，設置在所述半導體晶體的放射線射入面側；以及

多個第二電極，隔著所述半導體晶體而與所述第一電極對置設置；

所述第一電極具有第一部分電極和第二部分電極，該第一部分電極和第二部分電極相互獨立地被施加高電壓且至少在通道方向上被分割而成。

2.根據權利要求1所述的檢測器模塊，其中，

所述第一電極在與所述通道方向正交的列方向上未被分割為所述第一部分電極和所述第二部分電極。

3.根據權利要求1所述的檢測器模塊，其中，

所述第一電極還在與所述通道方向正交的列方向上被分割為所述第一部分電極和所述第二部分電極。

4.根據權利要求3所述的檢測器模塊，其中，

所述第一部分電極和所述第二部分電極在所述通道方向及所述列方向上交替地配置。

5.根據權利要求1所述的檢測器模塊，其中，

還具備高電壓施加部，該高電壓施加部獨立地對所述第一部分電極和所述第二部分電極施加高電壓。

6.一種檢測器模塊，具備：

直接變換型的半導體晶體；

第一電極，設置于所述半導體晶體的放射線射入面側，具有第一部分電極和第二部分電極，該第一部分電極和第二部分電極相互獨立地被施加高電壓且在通道方向和/或列方向上被分割而成；

多個第二電極，隔著所述半導體晶體而與所述第一電極對置設置；

檢測部，檢測規定通量的放射線向所述第一部分電極的射入；以及

控制部，在檢測到所述預定通量的放射線的射入的情況下，控制對所述第二部分電極施加的高電壓。

7.根據權利要求6所述的檢測器模塊，其中，

所述檢測部檢測對所述第一部分電極施加的高電壓的下降，以檢測所述規定通量的放射線的射入，

所述控制部在檢測到所述高電壓的下降的情況下，使對所述第二部分電極施加的高電壓下降。

8.根據權利要求6所述的檢測器模塊，其中，

所述檢測部檢測對所述第一部分電極供給的電流的上升，以檢測所述規定通量的放射線的射入，

所述控制部在檢測到所述上升的情況下，使對所述第二部分電極施加的高電壓下降。

9.根據權利要求6所述的檢測器模塊，其中，

所述檢測部檢測已到達基于掃描計劃決定的、預測到所述規定通量的放射線的射入的時間這一情況，以檢測所述規定通量的放射線的射入，

在檢測到已到達所述時間的情況下，所述控制部使對所述第二部分電極施加的高電壓下降。

10.根據權利要求6所述的檢測器模塊，其中，

所述檢測部檢測已到達基于掃描計劃決定的、預測到所述規定通量的放射線的射入的第一時間之前的第二時間這一情況，以檢測所述規定通量的放射線的射入，

在檢測到已到達所述第二時間的情況下，所述控制部對與所述第二部分電極連接的蓄電元件蓄積電荷。

11.一種X射線計算機斷層攝影裝置，具備：

產生X射線的X射線管；以及

X射線檢測器，檢測從所述X射線管產生的X射線，

所述X射線檢測器具有：

直接變換型的半導體晶體；

第一電極，設置在所述半導體晶體的X射線射入面側；以及

多個第二電極，隔著所述半導體晶體而與所述第一電極對置設置，

所述第一電極具有第一部分電極和第二部分電極，該第一部分電極和第二部分電極相互獨立地被施加高電壓且至少在通道方向上被分割而成。