[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202211201204.2
• 申請日: 2022-09-29
• 公開（公告）號: CN115440783A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 劉軍;周斌;蘇同上;孫濤;馬宇軒;王海東
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 雷思鳴

1.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底具有隔離區；

在所述隔離區，形成位于所述襯底一側且沿遠離所述襯底的方向依次層疊的金屬膜層和絕緣膜層；

采用掩膜板，沿靠近所述襯底的方向，對所述絕緣膜層和所述金屬膜層中的部分膜層進行第一刻蝕處理，形成第一絕緣層，第一金屬層，以及覆蓋所述第一絕緣層的側壁和屬于所述部分膜層的第一金屬層的側壁的絡合物層，所述金屬膜層中，所述部分膜層的厚度小于除所述部分膜層外的其余膜層的厚度；

以所述絡合物層為遮擋部，對所述第一金屬層進行第二刻蝕處理，形成第二金屬層，所述第二金屬層靠近所述第一絕緣層的部分的寬度大于遠離所述第一絕緣層的部分的寬度，且小于所述第一絕緣層的寬度；

去除所述絡合物層，得到阻隔結構，所述阻隔結構包括所述第二金屬層和所述第一絕緣層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述絕緣膜層和所述金屬膜層中的部分膜層進行第一刻蝕處理，包括：

采用第一刻蝕氣體，對所述絕緣膜層進行干法刻蝕處理；

采用第二刻蝕氣體，對所述金屬膜層中的部分膜層進行干法刻蝕處理；

其中，所述第一刻蝕氣體與所述第二刻蝕氣體為不同的刻蝕氣體。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕氣體包括：六氟化硫和氧氣；所述第二刻蝕氣體包括：三氯化硼和氯氣；所述絡合物層包括：氯絡合物層。

4.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述對所述第一金屬層進行第二刻蝕處理，包括：

采用刻蝕溶液，對所述第一金屬層進行濕法刻蝕處理。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕溶液包括：百分之10％至20％的乙酸，1％至2.5％硝酸，以及50至60％的磷酸。

6.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述金屬膜層包括：沿遠離所述襯底的方向層疊的第一金屬膜層、第二金屬膜層和第三金屬膜層；

所述第一金屬膜層的材料和所述第三金屬膜層的材料相同，且均與所述第二金屬膜層的材料不同；且所述第一金屬膜層的厚度和所述第三金屬膜層的厚度均小于所述第二金屬膜層的厚度；

其中，所述部分膜層包括所述第三金屬膜層和所述第二金屬膜層的部分金屬膜層，且所述第二金屬膜層中，所述部分金屬膜層的厚度小于除所述部分金屬膜層外的其余金屬膜層的厚度。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬膜層中，所述部分膜層的厚度為所述金屬膜層的總厚度的1/5至1/4；所述第二金屬膜層中，所述部分金屬膜層的厚度為所述第二金屬膜層的總厚度的1/5至1/4。

8.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述襯底還具有顯示區，所述隔離區至少部分圍繞所述顯示區；所述方法還包括：

在所述顯示區和所述隔離區，形成位于所述襯底一側的緩沖層；

在所述顯示區，形成位于所述緩沖層遠離所述襯底一側的像素，所述像素包括：沿遠離所述襯底的方向依次層疊的有源層、第一柵絕緣層、第一柵金屬層、第二柵絕緣層、第二柵金屬層、層間界定層、第一源漏金屬層、第一平坦層、第一鈍化層、第二源漏金屬層、第二鈍化層、第二平坦層、陽極層和像素界定層；

在所述隔離區，形成位于所述緩沖層與所述第二金屬層之間，且沿遠離所述襯底的方向依次層疊的第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層、第三金屬層和第五絕緣層；

其中，所述第二絕緣層與所述第一柵絕緣層位于同層，所述第三絕緣層與所述第二柵絕緣層位于同層，所述第四絕緣層與所述層間界定層位于同層，所述第三金屬層與所述第一源漏金屬層位于同層，所述第五絕緣層與所述第一鈍化層位于同層，所述第二金屬層與所述第二源漏金屬層位于同層，所述第一絕緣層與所述第二鈍化層位于同層。