[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202211201204.2
• 申請日: 2022-09-29
• 公開（公告）號: CN115440783A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 劉軍;周斌;蘇同上;孫濤;馬宇軒;王海東
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 雷思鳴

提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。該方法中，首先可以在隔離區形成沿遠離襯底的方向依次層疊的金屬膜層和絕緣膜層。然后可以采用一張掩膜板，對絕緣膜層和部分金屬膜層進行第一刻蝕處理，形成第一絕緣層、第一金屬層和覆蓋第一絕緣層和部分第一金屬層側壁的絡合物層。再然后可以直接以絡合物層為遮擋部，對第一金屬層進行第二刻蝕處理，得到上寬下窄具有尖端角的阻隔結構。因在第一刻蝕處理時，僅刻蝕了厚度較小的部分金屬膜層，故使得僅在第一金屬層的部分側壁上形成了絡合物層，進而使得可以在不采用掩膜板的基礎上，對第一金屬層進行可靠的第二刻蝕處理，得到良率較好的阻隔結構，實現對外界水汽的可靠阻擋。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管(organic light emitting diode，OLED)顯示基板因其自發光、寬視角和響應速度快等優點被廣泛應用于各類顯示裝置中。

相關技術中，OLED顯示基板一般包括：具有顯示區和非顯示區的襯底，位于顯示區的多個像素，以及位于非顯示區的阻隔(Rib)結構。其中，Rib結構的橫截面一般呈具有尖端(Tip)角的“工”字型。Rib結構能夠用于對像素進行阻擋隔離，避免外界水汽受切割或其他因素影響而入侵顯示區損傷像素。

但是，受目前制造Rib結構的工藝影響，形成的Rib結構易發生塌陷或者斷裂。如此，造成阻擋水汽的可靠性較低，產品良率較差。

發明內容

提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，可以解決相關技術中因形成的Rib結構易發生塌陷或者斷裂，而導致阻擋水汽的可靠性較低的問題。

所述技術方案如下：

一方面，提供了一種顯示基板的制作方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底具有隔離區；

在所述隔離區，形成位于所述襯底一側且沿遠離所述襯底的方向依次層疊的金屬膜層和絕緣膜層；

采用掩膜板，沿靠近所述襯底的方向，對所述絕緣膜層和所述金屬膜層中的部分膜層進行第一刻蝕處理，形成第一絕緣層，第一金屬層，以及覆蓋所述第一絕緣層的側壁和屬于所述部分膜層的第一金屬層的側壁的絡合物層，所述金屬膜層中，所述部分膜層的厚度小于除所述部分膜層外的其余膜層的厚度；

以所述絡合物層為遮擋部，對所述第一金屬層進行第二刻蝕處理，形成第二金屬層，所述第二金屬層靠近所述第一絕緣層的部分的寬度大于遠離所述第一絕緣層的部分的寬度，且小于所述第一絕緣層的寬度；

去除所述絡合物層，得到阻隔結構，所述阻隔結構包括所述第二金屬層和所述第一絕緣層。

可選的，所述對所述絕緣膜層和所述金屬膜層中的部分膜層進行第一刻蝕處理，包括：

采用第一刻蝕氣體，對所述絕緣膜層進行干法刻蝕處理；

采用第二刻蝕氣體，對所述金屬膜層中的部分膜層進行干法刻蝕處理；

其中，所述第一刻蝕氣體與所述第二刻蝕氣體為不同的刻蝕氣體。

可選的，所述第一刻蝕氣體包括：六氟化硫和氧氣；所述第二刻蝕氣體包括：三氯化硼和氯氣；所述絡合物層包括：氯絡合物層。

可選的，所述對所述第一金屬層進行第二刻蝕處理，包括：

采用刻蝕溶液，對所述第一金屬層進行濕法刻蝕處理。

可選的，所述刻蝕溶液包括：百分之10％至20％的乙酸，1％至2.5％硝酸，以及50至60％的磷酸。

可選的，所述金屬膜層包括：沿遠離所述襯底的方向層疊的第一金屬膜層、第二金屬膜層和第三金屬膜層；