[發(fā)明專利]一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211201190.4
• 申請(qǐng)日: 2022-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN115436430A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張偉偉;盧孜筱;姜生元;遲關(guān)心;段驍航;李紅浪;丁源;劉珊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/00
• 分類號(hào): G01N27/00;G01V3/00
• 代理公司: 哈爾濱奧博專利代理事務(wù)所(普通合伙) 23220
• 代理人: 葉以方

本發(fā)明涉及一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置，屬于電學(xué)測(cè)量領(lǐng)域，本發(fā)明包括觸探腿和觸探足；觸探足固定安裝在觸探腿的下端，觸探足的下表面是外凸對(duì)的半球形；所述一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置還包括環(huán)氧樹脂膠和探測(cè)結(jié)構(gòu)，所述探測(cè)結(jié)構(gòu)通過環(huán)氧樹脂膠固定在觸探足的下表面；所述探測(cè)結(jié)構(gòu)包括銅箔，銅箔通過環(huán)氧樹脂膠固接在觸探足的下表面，且銅箔完全覆蓋觸探足的下表面，銅箔上連接有電極；本裝置可以搭載在探測(cè)器的足或輪上滿足兩種測(cè)量范圍的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置，屬于電學(xué)測(cè)量領(lǐng)域。

背景技術(shù)

對(duì)于星壤物理性質(zhì)的測(cè)量，雷達(dá)、光譜儀、中子探測(cè)儀等幾種遙感探測(cè)方式都有各自的局限性，采樣返回可能存在地球環(huán)境的污染。因此，最理想的方法就是原位測(cè)量，而原位采集星壤利用質(zhì)譜儀分析操作過于復(fù)雜、對(duì)星壤擾動(dòng)較大。所以，需要一種操作簡(jiǎn)單、對(duì)星壤擾動(dòng)較小、可靠性較高的星壤物性原位觸探傳感裝置。

針對(duì)以上需求，本發(fā)明專利設(shè)計(jì)了一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決現(xiàn)有原位采集星壤利用質(zhì)譜儀分析操作過于復(fù)雜、對(duì)星壤擾動(dòng)較大問題，進(jìn)而提出一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置

本發(fā)明為解決上述問題采取的技術(shù)方案是：本發(fā)明包括觸探腿和觸探足；觸探足固定安裝在觸探腿的下端，觸探足的下表面是外凸對(duì)的半球形；所述一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置還包括環(huán)氧樹脂膠和探測(cè)結(jié)構(gòu)，所述探測(cè)結(jié)構(gòu)通過環(huán)氧樹脂膠固定在觸探足的下表面。

進(jìn)一步的，所述探測(cè)結(jié)構(gòu)包括銅箔，銅箔通過環(huán)氧樹脂膠固接在觸探足的下表面，且銅箔完全覆蓋觸探足的下表面，銅箔上連接有電極。

進(jìn)一步的，所述探測(cè)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)叉指電極、聚酰亞胺保護(hù)層和聚酰亞胺絕緣層；聚酰亞胺保護(hù)層和聚酰亞胺絕緣層由外至內(nèi)依次貼裝在觸探足的下表面，多個(gè)叉指電極均布置在聚酰亞胺保護(hù)層和聚酰亞胺絕緣層之間。

進(jìn)一步的，所述觸探腿和觸探足采用機(jī)械結(jié)構(gòu)連接固定。

進(jìn)一步的，所述叉指電極上連接有滑環(huán)。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明專利設(shè)計(jì)了一種基于輪/足搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置，在星壤原位觸探過程中，其探測(cè)時(shí)間較短，搭載在探測(cè)器的足或輪上，具有較小的質(zhì)量，滿足原位觸探輕量化的要求。并且兩種構(gòu)型可滿足兩種測(cè)量范圍的需求：分布式觸探構(gòu)型探測(cè)范圍約為1m，集中式觸探構(gòu)型探測(cè)范圍約為0.1m。通過足或輪上搭載的星壤電學(xué)特性原位觸探傳感裝置，不僅可以獲取星壤的電學(xué)參數(shù)，還可以輔助雷達(dá)定標(biāo)，以及進(jìn)行星球淺表層含冰星壤/巖石的預(yù)判。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的分布式觸探構(gòu)型觸探原理示意圖

圖2是本發(fā)明的分布式觸探構(gòu)型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的分布式初探測(cè)量原理圖；

圖4是本發(fā)明的集中式觸探構(gòu)型觸探原理示意圖；

圖5是本發(fā)明的集中式觸探構(gòu)型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的集中式觸探方案電極片其他可用構(gòu)型圖一；

圖7是本發(fā)明的集中式觸探方案電極片其他可用構(gòu)型圖二；

圖8是本發(fā)明的集中式觸探構(gòu)型平板式電極的示意圖。

具體實(shí)施方式