[發明專利]一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置及其檢測方法在審
| 申請號: | 202211190655.0 | 申請日: | 2022-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN115628985A | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發明(設計)人: | 張振中;孫軍;郝建勇 | 申請(專利權)人: | 蘇州中瑞宏芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | G01N3/12 | 分類號: | G01N3/12;G01N3/02;B08B1/00;B08B5/02 |
| 代理公司: | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易試*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 碳化硅 芯片 耐壓性 檢測 裝置 及其 方法 | ||
1.一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,包括放置臺(1),其特征在于:所述放置臺(1)的頂面開設有定位槽(2),所述定位槽(2)的內部設有放置板(3),所述放置臺(1)的正面開設有側邊槽(4),所述放置臺(1)的底面固定連接有固定板(5),所述固定板(5)的內側面固定連接有分配套(6),所述分配套(6)的頂面固定連通有固定管(7),所述固定管(7)的頂面活動套接有套管(8),所述套管(8)的頂端與放置板(3)固定連接,所述放置臺(1)的背面固定連通有連通套(9),所述連通套(9)的端面固定連通有通氣套(10),所述放置臺(1)的背面固定連接有側板(11),所述側板(11)的頂面固定安裝有氣泵(12),所述氣泵(12)與通氣套(10)之間固定連通有氣管(13),所述固定板(5)的內側設有壓力機構(17)和油箱(18),所述放置臺(1)帶動頂面設有升降檢測機構(14)。
2.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述側邊槽(4)與定位槽(2)相連通,所述側邊槽(4)位于固定管(7)的上方。
3.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述放置臺(1)的正面固定連接有導出板(19),所述導出板(19)位于側邊槽(4)的下方,所述導出板(19)的左側向下傾斜。
4.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述固定板(5)的內側面固定連接有底部板(16),所述油箱(18)和壓力機構(17)均固定安裝在底部板(16)的頂面上,所述油箱(18)和壓力機構(17)均位于分配套(6)的下方。
5.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述壓力機構(17)包括油泵(171)、一號管(172)和二號二號管(173),所述油泵(171)固定安裝在底部板(16)的頂面上,所述一號管(172)固定連通在油泵(171)和油箱(18)之間,所述二號管(173)固定連通在油泵(171)和分配套(6)之間。
6.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述升降檢測機構(14)包括安裝架(141)、升降桿(142)、載板(143)和壓力桿(144),所述安裝架(141)固定安裝在放置臺(1)的頂面上,所述升降桿(142)固定連接在安裝架(141)內側面的頂面上,所述載板(143)固定連接在升降桿(142)的底面上,所述壓力桿(144)固定連接在載板(143)的底面上。
7.根據權利要求6所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述所述升降檢測機構(14)的內部固定安裝有控制箱(15),所述控制箱(15)固定安裝在載板(143)的頂面上。
8.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置,其特征在于:所述分配套(6)的頂面開設有通孔(20),所述通孔(20)的頂端與固定管(7)固定連通,所述套管(8)位于定位槽(2)的內部。
9.根據權利要求1-8任一項所述的一種用于碳化硅芯片的耐壓性檢測裝置的檢測方法,其特征在于:包括以下檢測步驟:
第一步:啟動壓力機構(17),使得放置板(3)在定位槽(2)中上行,將待檢測的碳化硅芯片置于放置臺(1)頂面上的定位槽(2)中,保持碳化硅芯片位于放置板(3)的頂端上,啟動升降檢測機構(14),并啟動控制箱(15),使得升降檢測機構(14)中的壓力桿(144)向下壓住碳化硅芯片,進行壓力檢測;
第二步:當耐壓檢測完成后,關閉壓力機構(17),使得固定管(7)和套管(8)中的壓力油受重力下流,進而使得放置板(3)跟隨套管(8)沿著固定管(7)下移,使得檢測后的碳化硅芯片跟隨放置板(3)下移,靜置后檢測完碳化硅芯片位于側邊槽(4)的內部,使得升降檢測機構(14)繼續下移并蓋住定位槽(2)的頂部,啟動氣泵(12),使得氣體通過氣管(13)和連通套(9)進入到側邊槽(4)的內部,并將側邊槽(4)中的碳化硅芯片吹出;
第三步:當碳化硅芯片吹出后并落在導出板(19)的內部,且沿著向下傾斜的導出板(19)向下繼續滑出并落在外接收集機構中,當碳化硅芯片收集后,使得升降檢測機構(14)復位,并繼續通入泵入空氣,使得吹向側邊槽(4)中的空氣部分導向定位槽(2)中,且使得定位槽(2)內表面受到風力清潔,同時放置板(3)頂面灰塵吹出,完成清潔。
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