[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202211183670.2 | 申請日: | 2022-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN116156951A | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 金根佑 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H10K59/121 | 分類號: | H10K59/121;H10K59/12;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明提供了顯示裝置。該顯示裝置包括:基板;緩沖層,在基板上;驅動晶體管,在緩沖層上并且包括第一半導體圖案、第一柵電極、第一源電極和第一漏電極;以及開關晶體管,在緩沖層上并且與驅動晶體管間隔開,開關晶體管包括第二半導體圖案、第二柵電極、第二源電極和第二漏電極,其中,緩沖層包括包含氮化硅的第一緩沖層和包含氧化硅的第二緩沖層,僅第二緩沖層在驅動晶體管的第一半導體圖案之下,并且第一緩沖層和第二緩沖層在開關晶體管的第二半導體圖案之下。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2021年11月18日提交的韓國專利申請第10-2021-0159513號的優先權和權益,其全部公開內容通過引用并入本文。
技術領域
本發明的一些實施例的方面涉及顯示裝置。
背景技術
隨著信息技術的發展,作為用戶與信息之間的連接媒介的顯示裝置的重要性已經凸顯。
顯示裝置包括多個像素。像素中的每一個通常包括電容器、多個晶體管以及電連接到晶體管的發光元件。晶體管響應于通過線路提供的信號而分別被導通,并且相應地可以產生驅動電流。發光元件響應于驅動電流而發光。
近來,為了改善顯示裝置的驅動效率并降低顯示裝置的功耗,可以使用以相對低的頻率來驅動顯示裝置的方法。因此,可能需要能夠響應于顯示裝置以相對低的頻率驅動而改善顯示質量的方法。
在該背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對背景技術的理解,并且因此,在該背景技術部分中討論的信息不一定構成現有技術。
發明內容
本發明的一些實施例的方面包括能夠在顯示裝置以低頻率驅動時減小開關晶體管的泄漏電流(或截止電流),并且增大被施加到驅動晶體管的柵電極的柵電壓的驅動范圍(在下文中,DR范圍)的顯示裝置。
根據一些實施例,顯示裝置包括:基板;緩沖層,在基板上;驅動晶體管,在緩沖層上并且包括第一半導體圖案、第一柵電極、第一源電極和第一漏電極;以及開關晶體管,在緩沖層上并且與驅動晶體管間隔開,開關晶體管包括第二半導體圖案、第二柵電極、第二源電極和第二漏電極。
根據一些實施例,緩沖層可以包括包含氮化硅的第一緩沖層和包含氧化硅的第二緩沖層,僅第二緩沖層可以在驅動晶體管的第一半導體圖案之下,并且第一緩沖層和第二緩沖層可以在開關晶體管的第二半導體圖案之下。
根據一些實施例,第一半導體圖案和第二半導體圖案可以包括多晶硅。
根據一些實施例,在第二半導體圖案中包括的氫離子濃度可以大于在第一半導體圖案中包括的氫離子濃度。
根據一些實施例,在第一半導體圖案之下的第二緩沖層的第一厚度可以基本上等于在第二半導體圖案之下的第二緩沖層的第二厚度。
根據一些實施例,在第二半導體圖案之下的第一緩沖層的第三厚度可以小于第二厚度。
根據一些實施例,在第一半導體圖案之下的第二緩沖層的第一厚度可以等于在第二半導體圖案之下的第二緩沖層的第二厚度與在第二半導體圖案之下的第一緩沖層的第三厚度之和。
根據一些實施例,顯示裝置可以進一步包括:包含氧化硅的阻擋層,在基板與緩沖層之間。
根據一些實施例,第一緩沖層可以在阻擋層上,并且第二緩沖層可以在第一緩沖層上。
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