[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號： | 202211183670.2 | 申請日： | 2022-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN116156951A | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發明（設計）人： | 金根佑 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H10K59/121 | 分類號： | H10K59/121;H10K59/12;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋穎娉;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
基板；
緩沖層，在所述基板上；
驅動晶體管，在所述緩沖層上并且包括第一半導體圖案、第一柵電極、第一源電極和第一漏電極；以及
開關晶體管，在所述緩沖層上并且與所述驅動晶體管間隔開，所述開關晶體管包括第二半導體圖案、第二柵電極、第二源電極和第二漏電極，
其中，所述緩沖層包括包含氮化硅的第一緩沖層和包含氧化硅的第二緩沖層，
僅所述第二緩沖層在所述驅動晶體管的所述第一半導體圖案之下，并且
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層在所述開關晶體管的所述第二半導體圖案之下。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案包括多晶硅。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述第二半導體圖案中包括的氫離子濃度大于在所述第一半導體圖案中包括的氫離子濃度。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其中，在所述第一半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第一厚度等于在所述第二半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第二厚度。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，在所述第二半導體圖案之下的所述第一緩沖層的第三厚度小于所述第二厚度。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其中，在所述第一半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第一厚度等于在所述第二半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第二厚度與在所述第二半導體圖案之下的所述第一緩沖層的第三厚度之和。
7.一種顯示裝置，包括：
基板；
緩沖層，在所述基板上；
驅動晶體管，在所述緩沖層上并且包括第一半導體圖案、第一柵電極、第一源電極和第一漏電極；以及
開關晶體管，在所述緩沖層上并且與所述驅動晶體管間隔開，所述開關晶體管包括第二半導體圖案、第二柵電極、第二源電極和第二漏電極，
其中，所述緩沖層包括包含氮化硅的第一緩沖層和包含氧化硅的第二緩沖層，
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層在所述驅動晶體管的所述第一半導體圖案之下，
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層在所述開關晶體管的所述第二半導體圖案之下，并且
在所述第一半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第一厚度大于在所述第二半導體圖案之下的所述第二緩沖層的第二厚度。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案包括多晶硅。
9.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，在所述第二半導體圖案中包括的氫離子濃度大于在所述第一半導體圖案中包括的氫離子濃度。
10.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第一緩沖層的第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度。
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