[發明專利]半導體器件的制作方法以及半導體器件

在審

• 申請號: 202211183023.1
• 申請日: 2022-09-27
• 公開（公告）號: CN115579322A
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: 亨利·H·阿達姆松;林鴻霄;苗淵浩;趙雪薇
• 申請（專利權）人: 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/02;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括依次疊置的玻璃襯底以及頂鍺層；

對所述頂鍺層進行硅離子注入以及退火操作，形成硅化鍺層；

在所述硅化鍺層的裸露表面上形成晶體管。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述頂鍺層進行硅離子注入以及退火操作，形成硅化鍺層，包括：

在所述頂鍺層中注入所述硅離子，所述硅離子的注入能量范圍為2keV～40keV，所述硅離子的劑量范圍為1e¹⁴cm^-2～1e¹⁸cm^-2；

對注入所述硅離子后的所述頂鍺層進行所述退火操作，得到所述硅化鍺層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅化鍺層裸露表面上形成晶體管，包括：

在所述硅化鍺層的部分裸露表面上形成柵堆疊層，所述柵堆疊層兩側的所述硅化鍺層裸露，所述柵堆疊層包括依次疊置的柵介質層以及柵導電層；

在所述柵堆疊層兩側的所述硅化鍺層的裸露表面上分別形成源極以及漏極，得到所述晶體管。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述硅化鍺層的部分裸露表面上形成柵堆疊層，包括：

在所述硅化鍺層的裸露表面上依次形成預備柵介質層和預備柵導電層；

去除部分所述預備柵導電層以及部分所述預備柵介質層，剩余的所述預備柵介質層形成所述柵介質層，剩余的所述預備柵導電層形成所述柵導電層。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述硅化鍺層中硅離子摻雜濃度范圍為20％～30％。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述退火操作的退火溫度范圍為500℃～600℃。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述退火操作的退火時間范圍為10s～60s。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述硅化鍺層的厚度范圍為5nm～20nm。

9.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述頂鍺層的厚度范圍為10nm～30nm。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

玻璃襯底；

硅化鍺層，位于所述玻璃襯底的表面上；

晶體管，位于所述硅化鍺層的遠離所述玻璃襯底的表面上。