[發明專利]誘導形核制備高分散高孔隙率超細二氧化鉬和鉬粉的方法

有效

• 申請號: 202211165145.8
• 申請日: 2022-09-23
• 公開（公告）號: CN115229199B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 潘曉龍;孫國棟;鄭富凱;閆樹欣
• 申請（專利權）人: 西安稀有金屬材料研究院有限公司
• 主分類號: B22F9/22
• 分類號: B22F9/22;B22F1/145;B22F1/16;B22F9/04
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 馬小燕

1.誘導形核制備高分散高孔隙率超細二氧化鉬和鉬粉的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟一、將無定型裂解碳進行活性位點、粒度調節以及改性處理，得到高活性位點無定型裂解碳，將三氧化鉬進行破碎團聚和分散性處理，得到分散三氧化鉬；

步驟二、將步驟一中得到的高活性位點無定型裂解碳和分散三氧化鉬加入到溶劑和分散劑中進行攪拌分散，然后放入球磨罐中進行低能球磨混料，得到混勻漿料；

步驟三、將步驟二中得到的混勻漿料干燥，然后放入超高速攪拌器中攪拌進行分散和調節孔隙率，得到高分散和低松裝密度的核殼結構的高活性位點無定型裂解碳顆粒包覆三氧化鉬的納米復合粉體；所述超高速攪拌器的轉速大于5000轉/分鐘，攪拌時間大于60秒，所述高分散和低松裝密度的核殼結構的高活性位點無定型裂解碳顆粒包覆三氧化鉬的納米復合粉體的松裝密度小于1.0g/cm³，孔隙率大于80%；

步驟四、將步驟三中得到的高分散和低松裝密度的核殼結構的高活性位點無定型裂解碳顆粒包覆三氧化鉬的納米復合粉體進行氫氣還原，得到高分散高孔隙率超細二氧化鉬粉；所述氫氣還原的溫度為500℃~700℃，所述超細二氧化鉬粉的平均粒度小于500nm，松裝密度小于1.0g/cm³，孔隙率大于90%；

步驟五、將步驟四中得到的高分散和高孔隙率的超細二氧化鉬粉進行氫氣還原處理，得到高分散高孔隙率超細鉬粉；所述氫氣還原處理的溫度為700℃~900℃，所述高分散高孔隙率超細鉬粉的平均粒徑小于500nm,松裝密度小于1.0g/cm³，孔隙率大于90%。

2.根據權利要求1所述的誘導形核制備高分散高孔隙率超細二氧化鉬和鉬粉的方法，其特征在于，步驟一中所述無定型裂解碳由氣相、液相或固相碳源裂解生成，所述活性位點、粒度調節以及改性處理的方法為超聲波處理、摩擦處理、等離子體處理或微波處理；所述三氧化鉬的質量純度大于99%，且一次顆粒的平均粒度小于5μm。

3.根據權利要求1所述的誘導形核制備高分散高孔隙率超細二氧化鉬和鉬粉的方法，其特征在于，步驟二中所述高活性位點無定型裂解碳的質量小于分散三氧化鉬質量的3%。