[發明專利]一種低噪聲放大器

在審

• 申請號: 202211131611.0
• 申請日: 2022-09-15
• 公開（公告）號: CN115483895A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 羅剛;李誼;詹海挺;周芷怡;周嘉波;羅俊
• 申請（專利權）人: 上海米硅科技有限公司
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F1/42;H03F1/26;H03F3/60
• 代理公司: 溫州青科專利代理事務所(特殊普通合伙) 33390
• 代理人: 錢磊

本申請涉及電子信息技術領域，具體而言，涉及一種低噪聲放大器。包括基礎電路、共柵級緩沖器、偏置電路和保護電路；所述基礎電路為兩級共源結構，所述共柵級緩沖器與所述基礎電路的輸出端連接且一端接地，所述偏置電路包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第一偏置電路與所述共柵級緩沖器的輸出端連接為所述共柵級緩沖器提供偏置電壓，所述偏置電路與所述基礎電路的輸出端連接為所述基礎電路提供偏置電壓，所述保護電路與所述基礎電路的輸入端連接且一端連地。在本實施例中噪聲主要集中在輸入管以及反饋電阻上，能夠實現在6～18GHz應使噪聲系數保持一定的平坦度。

技術領域

本申請涉及電子信息技術領域，具體而言，涉及一種低噪聲放大器。

背景技術

寬帶CMOS低噪聲放大器已成為當下主要的應用趨勢。在CMOS工藝下，當工作帶寬較大時，能夠同時滿足良好的端口匹配、低噪聲系數、一定帶寬增益以及低功耗等指標是比較困難的，傳統的寬帶地噪聲放大器結構通常是兼顧以上指標進行設計。分布式放大器與傳統的放大器相比，能夠通過提高增益帶寬積的上限，進而實現更寬的帶寬。分布式放大器由多支路構成，功耗高和面積大是其顯著的缺點。電阻并聯負反饋結構能提供良好的端口匹配以及一定的增益帶寬，而反饋電阻的引入減小了增益，一定程度上使噪聲性能惡化，此外反饋還可能引起穩定性問題。共柵結構能容易地實現良好的輸入匹配，然后在高頻下噪聲系數偏大，實現高增益時所需功耗也較大，低增益大帶寬常采用此種結構。帶通濾波器結構能夠在一定帶寬內實現良好的端口匹配，同時具有較好的噪聲性能。但在實際使用中需要較多的電感和電容元件，并且針對于阻抗匹配和噪聲之間的協調也是現有技術中的難點。

發明內容

本申請的目的在于提供一種低噪聲放大器，以解決現有技術中存在的阻抗匹配和噪音協調的問題。

方法為了實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種低噪聲放大器，包括基礎電路、共柵級緩沖器、偏置電路和保護電路；所述基礎電路為兩級共源結構，所述共柵級緩沖器與所述基礎電路的輸出端連接且一端接地，所述偏置電路包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第一偏置電路與所述共柵級緩沖器的輸出端連接為所述共柵級緩沖器提供偏置電壓，所述偏置電路與所述基礎電路的輸出端連接為所述基礎電路提供偏置電壓，所述保護電路與所述基礎電路的輸入端連接且一端連地。

可選地，所述基礎電路包括第一支路和第二支路，分別設置有第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管共用同一偏置電流。

可選地，所述第一支路包括第一晶體管、第一電阻、第一電容和第一電感，所述第一晶體管的柵極與所述第一電感連接，且所述第一電感通過保護電路連接有電壓輸入端；所述第一電阻和所述第一電容連接并與所述第一晶體管和所述第一電感并聯。

可選地，所述第一晶體管漏極連接第二電感輸入端，所述第二電感輸出端連接地。

可選地，所述第二支路包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極連接有第三電感，所述第二晶體管的漏極通過第四電感與所述第一晶體管的源極連接，且所述第二晶體管的漏極通過第二電容交流短接至地。

可選地，所述第二支路包括第三電容，所述第三電容與所述第三電感和所述第四電感并聯并與第三電阻串聯。

可選地，所述第三晶體管的源極與所述共柵級緩沖器連接，所述共柵級緩沖器包括第三晶體管，所述第三晶體管的源極通過第四電阻與所述第三晶體管的源極連接，所述第三晶體管漏極通過第五電感接地；還包括與所述第二晶體管源極和所述第三晶體管漏極并聯的第四電容。

可選地，所述偏置電路包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第二偏置電路與所述第三晶體管的柵極連接，所述第一偏置電路與所述第一支路的并聯電路連接。