[發(fā)明專利]一種低噪聲放大器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211131611.0
• 申請(qǐng)日: 2022-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN115483895A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅剛;李誼;詹海挺;周芷怡;周嘉波;羅俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海米硅科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/56
• 分類號(hào): H03F1/56;H03F1/42;H03F1/26;H03F3/60
• 代理公司: 溫州青科專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33390
• 代理人: 錢磊

1.一種低噪聲放大器，其特征在于，包括基礎(chǔ)電路、共柵級(jí)緩沖器、偏置電路和保護(hù)電路；所述基礎(chǔ)電路為兩級(jí)共源結(jié)構(gòu)，所述共柵級(jí)緩沖器與所述基礎(chǔ)電路的輸出端連接且一端接地，所述偏置電路包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第一偏置電路與所述共柵級(jí)緩沖器的輸出端連接為所述共柵級(jí)緩沖器提供偏置電壓，所述偏置電路與所述基礎(chǔ)電路的輸出端連接為所述基礎(chǔ)電路提供偏置電壓，所述保護(hù)電路與所述基礎(chǔ)電路的輸入端連接且一端連地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述基礎(chǔ)電路包括第一支路和第二支路，分別設(shè)置有第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管共用同一偏置電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一支路包括第一晶體管、第一電阻、第一電容和第一電感，所述第一晶體管的柵極與所述第一電感連接，且所述第一電感通過保護(hù)電路連接有電壓輸入端；所述第一電阻和所述第一電容連接并與所述第一晶體管和所述第一電感并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一晶體管漏極連接第二電感輸入端，所述第二電感輸出端連接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二支路包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極連接有第三電感，所述第二晶體管的漏極通過第四電感與所述第一晶體管的源極連接，且所述第二晶體管的漏極通過第二電容交流短接至地。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二支路包括第三電容，所述第三電容與所述第三電感和所述第四電感并聯(lián)并與第三電阻串聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第三晶體管的源極與所述共柵級(jí)緩沖器連接，所述共柵級(jí)緩沖器包括第三晶體管，所述第三晶體管的源極通過第四電阻與所述第三晶體管的源極連接，所述第三晶體管漏極通過第五電感接地；還包括與所述第二晶體管源極和所述第三晶體管漏極并聯(lián)的第四電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述偏置電路包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第二偏置電路與所述第三晶體管的柵極連接，所述第一偏置電路與所述第一支路的并聯(lián)電路連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一偏置電路包括第四晶體管，所述第四晶體管的柵極與所述第一支路的并聯(lián)電路連接，所述第四晶體管的源極連接有第五電阻，所述第四晶體管的漏極連接有第六電阻；所述第二偏置電路包括第七電阻和第八電阻。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述保護(hù)電路包括第一二極管和第二二極管。