[發(fā)明專利]一種倒裝發(fā)光二極管及照明裝置

在審

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• 申請日: 2022-09-07
• 公開（公告）號: CN115394895A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉小亮;何敏游;洪靈愿;王慶;盧超;張中英
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/22
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 許驊

1.一種倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：

發(fā)光外延層；

第一絕緣層，覆蓋在所述發(fā)光外延層上方以及側(cè)壁周圍，所述第一絕緣層具有多個通孔；

電性相反的第一連接電極和第二連接電極，位于所述第一絕緣層上，并填入所述第一絕緣層的通孔以電連接至所述發(fā)光外延層；

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋在所述發(fā)光外延層上方及側(cè)壁周圍，并且覆蓋住所述第一連接電極、第二連接電極以及第一絕緣層；

其中，所述第一連接電極或者第二連接電極具有一個電極通孔，所述的電極通孔的底部為所述第一絕緣層，所述第二絕緣層還填充至所述電極通孔；并且從上往下俯視所述發(fā)光二極管，所述電極通孔位于所述發(fā)光二極管正中心。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極通孔為圓形，其半徑大小為10-100微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二絕緣層的厚度為0.1～1.5微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一絕緣層的厚度為2微米以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括：

第一焊盤和第二焊盤，位于所述第二絕緣層上，并填入所述第二絕緣層的多個通孔以分別電連接所述第一連接電極和第二連接電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括第一接觸電極和第二接觸電極；多個所述第一接觸電極、多個所述第二接觸電極位于所述第一絕緣層下，所述第一連接電極填入所述第一絕緣層的通孔連接多個所述第一接觸電極，所述第二連接電極填入所述第一絕緣層的通孔連接多個所述第二接觸電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方俯視所述發(fā)光二極管，所述第一連接電極環(huán)繞所述第二連接電極設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二連接電極的形狀為兩個相對寬的區(qū)域以及處于兩個相對寬的區(qū)域之間的相對窄的區(qū)域，相對窄的區(qū)域連接兩個相對寬的區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二連接電極的相對窄的區(qū)域位于所述發(fā)光二極管的中心位置并形成有所述電極通孔用于頂針作用區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一連接電極及第二連接電極均為呈一條中心軸線的對稱分布。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤位于所述第二絕緣層上，并填入所述第二絕緣層的多個通孔以分別電連接所述第一連接電極和第二連接電極；所述第一焊盤的垂直投影面積的至少50％落入所述第二連接電極的所述的一個相對寬的區(qū)域，所述第二焊盤的垂直投影面積的至少50％落入所述第二連接電極的另外一個相對寬的區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光外延層包括依次疊置的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一接觸電極和第二接觸電極均分散到多處；所述第一接觸電極包括位于所述發(fā)光外延層的外圍的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的多處以及位于所述發(fā)光外延層內(nèi)部的孔內(nèi)的多處的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的表面；所述第二接觸電極為多處，位于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上面。

14.一種照明裝置，其特征在于：包括如權(quán)利要求1-13任一所述的發(fā)光二極管。