[發(fā)明專利]基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)及制備方法

在審

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• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115312469A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顏國秋;上官昌平;查曉剛;王建彬;付海濤;李君紅;杜玲玲
• 申請（專利權(quán)）人: 上海美維科技有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/535;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發(fā)明的基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，將有機(jī)載板與RDL復(fù)合層相結(jié)合，可省下大量物料成本，且適用于大面積制造，可提高產(chǎn)能；基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)，芯片先容置于有機(jī)載板中，RDL復(fù)合層直接與芯片的焊盤電連接，可降低封裝厚度，且可使芯片與RDL復(fù)合層穩(wěn)定結(jié)合，減小應(yīng)力，提高封裝可靠性；芯片的焊盤與RDL復(fù)合層直接電連接，可使得RDL復(fù)合層中的線路更精細(xì)，提高布線密度，使得I/O觸點間距更靈活，且便于錫球的設(shè)置及分布；芯片直接與RDL復(fù)合層電連接，可減小熱阻，縮短互連路徑，以使信號傳輸更快；本發(fā)明適用性較廣，可應(yīng)對未來如云基礎(chǔ)設(shè)施、5G、自動駕駛和人工智能等方面的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。

背景技術(shù)

受電子產(chǎn)品小、輕、薄的發(fā)展趨勢，封裝領(lǐng)域也不斷開發(fā)出新的封裝類型和結(jié)構(gòu)，如從早期的方型扁平式封裝(QFP)和球狀引腳柵格陣列封裝(BGA)到當(dāng)前流行的倒裝芯片球柵格陣列的封裝(FC-BGA)和晶圓級封裝(WLP)。

作為當(dāng)下最先進(jìn)的封裝形式，晶圓級封裝具有提升芯片功能密度、縮短互聯(lián)長度和進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)的三大功能。傳統(tǒng)的晶圓級封裝往往采用扇入型封裝技術(shù)，這種技術(shù)下，重布線層(RDL)只能向管芯內(nèi)走線，當(dāng)I/O數(shù)量達(dá)到200左右，層間間距在0.6mm時，往往會帶來較多問題。而晶圓級封裝中最具代表的改進(jìn)型方式就是扇出型封裝技術(shù)，在扇出型封裝中，RDL既可以向管芯內(nèi)走線，也可以向管芯外走線，其最大的特點是在相同的芯片尺寸下，可以做到更多的芯片的I/O，使得功能性更加強(qiáng)大，并且將更多的功能整合到單芯片之中，同時也達(dá)到了無載板封裝、薄型化以及低成本化等等的優(yōu)點。

作為扇出型封裝技術(shù)的核心，RDL技術(shù)的優(yōu)勢主要有三點：1)芯片設(shè)計者可以通過對RDL的設(shè)計代替一部分芯片內(nèi)部線路的設(shè)計，從而降低設(shè)計成本；2)采用RDL技術(shù)能夠支持更多的引腳數(shù)量；3)采用RDL技術(shù)可以使I/O觸點間距更靈活、凸點面積更大，從而使基板與元件之間的應(yīng)力更小、元件可靠性更高。

目前市場上主要采用硅基RDL技術(shù)，即為在硅基材料上制備RDL，而后在RDL上貼合芯片進(jìn)行封裝，這種封裝方式具有局限性，如芯片與RDL間需要通過錫球進(jìn)行互聯(lián)，難以降低封裝厚度，RDL中的線寬及線間距難以縮小，且封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、產(chǎn)能和成本均處于劣勢地位，影響使用范圍的擴(kuò)大。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中硅基RDL的上述局限性問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

有機(jī)載板，所述有機(jī)載板包括第一表面及相對的第二表面，且所述有機(jī)載板中具有貫通槽；

芯片，所述芯片置于所述貫通槽中，且所述芯片的焊盤與所述有機(jī)載板的第一表面位于同一側(cè)；

塑封層，所述塑封層填充所述貫通槽，且覆蓋所述芯片及所述有機(jī)載板的第二表面；

RDL復(fù)合層，所述RDL復(fù)合層位于所述有機(jī)載板的第一面上，所述RDL復(fù)合層中包括金屬連接層，且所述金屬連接層與所述焊盤電連接；

阻焊層，所述阻焊層位于所述RDL復(fù)合層的表面上，所述阻焊層中具有顯露所述金屬連接層的凹槽；

錫球，所述錫球位于所述凹槽中，且所述錫球的一端與所述金屬連接層電連接，另一端顯露于所述阻焊層。

可選地，所述封裝結(jié)構(gòu)中包括多個所述芯片，且所述芯片所對應(yīng)的所述焊盤位于同一平面。

可選地，所述焊盤與所述有機(jī)載板的第一表面位于同一平面。

可選地，所述RDL復(fù)合層中包括疊置的N層所述金屬連接層，N≥2。