[發(fā)明專利]基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211085811.7 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115312469A | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏國秋;上官昌平;查曉剛;王建彬;付海濤;李君紅;杜玲玲 | 申請(專利權(quán))人: | 上海美維科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/535;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201613 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 機(jī)載 rdl 封裝 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.一種基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)包括:
有機(jī)載板,所述有機(jī)載板包括第一表面及相對的第二表面,且所述有機(jī)載板中具有貫通槽;
芯片,所述芯片置于所述貫通槽中,且所述芯片的焊盤與所述有機(jī)載板的第一表面位于同一側(cè);
塑封層,所述塑封層填充所述貫通槽,且覆蓋所述芯片及所述有機(jī)載板的第二表面;RDL復(fù)合層,所述RDL復(fù)合層位于所述有機(jī)載板的第一面上,所述RDL復(fù)合層中包括金屬連接層,且所述金屬連接層與所述焊盤電連接;
阻焊層,所述阻焊層位于所述RDL復(fù)合層的表面上,所述阻焊層中具有顯露所述金屬連接層的凹槽;
錫球,所述錫球位于所述凹槽中,且所述錫球的一端與所述金屬連接層電連接,另一端顯露于所述阻焊層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)中包括多個(gè)所述芯片,且所述芯片所對應(yīng)的所述焊盤位于同一平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述焊盤與所述有機(jī)載板的第一表面位于同一平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述RDL復(fù)合層中包括疊置的N層所述金屬連接層,N≥2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述RDL復(fù)合層中的所述金屬連接層的線寬≥1μm,所述RDL復(fù)合層中的所述金屬連接層的線間距≥1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述RDL復(fù)合層中的絕緣介質(zhì)層包括感光介質(zhì)層或非感光介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)包括扇出型封裝結(jié)構(gòu)或扇入型封裝結(jié)構(gòu)。
8.一種基于有機(jī)載板的RDL封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供有機(jī)載板,所述有機(jī)載板包括第一表面及相對的第二表面,且所述有機(jī)載板中形成有貫通槽;
提供支撐襯底,將所述支撐襯底與所述有機(jī)載板的第一表面相貼合;
提供芯片,將所述芯片置于所述貫通槽中,且所述芯片的焊盤朝向所述支撐襯底;形成塑封層,所述塑封層填充所述貫通槽,且覆蓋所述芯片及所述有機(jī)載板的第二表面;
去除所述支撐襯底,顯露所述芯片的焊盤;
于所述有機(jī)載板的第一面上形成RDL復(fù)合層,所述RDL復(fù)合層中包括金屬連接層,且所述金屬連接層與所述焊盤電連接;
于所述RDL復(fù)合層的表面上形成阻焊層;
于所述所述阻焊層中形成凹槽,所述凹槽顯露所述金屬連接層;
于所述凹槽中形成錫球,且所述錫球的一端與所述金屬連接層電連接,另一端顯露于所述阻焊層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于:形成的所述RDL復(fù)合層中包括疊置的N層所述金屬連接層,N≥2。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于:所述RDL復(fù)合層中的絕緣介質(zhì)層包括感光介質(zhì)層或非感光介質(zhì)層,當(dāng)為非感光介質(zhì)層時(shí),圖形化的方法包括鐳射,當(dāng)為感光介質(zhì)層時(shí),圖形化的方法包括干法蝕刻或濕法蝕刻。
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